Infrared Study of Proton Implanted GaP Single Crystals

Abstract

Infrared absorption spectra are measured for G a p single crystals implanted with protons of different energies and fluences. Besides a localized mode due t o P-H bond vibrations the samples exhibit a second mode at about 1840 cm-1 which is ascribed t o Ga-H bond vibrations. The dependence of the integrated absorption A of this mode on the fluence D follows the relation A -Dm with n = 0.52. The results obtained are compared with previous studies on proton implanted Gap, GaAs, I n P and ZnSe.Es wurden Infrarotabsorptionsspektren von Gap-Einkristallen gemessen, die init Protonen unterschiedlicher Energie und Dosis iinplantiert sind. Neben einer durch Schwingungen von P-H-Bindungen bedingten lokalen Mode zeigen die Proben eine zweite Mode bei etwa 1840 cm-l, die der Schwingung von Ga-H-Bindungen zugeschrieben wird. Die Abhangigkeit der integralen Absorption A dieser Mode von der Dosis D folgt der Relation A -Dn niit rz. = 0.52. Die erhaltenen Resultate werden mit fruheren Untersuchungen an mit Protonen implantiertem Gap, GaAs, I n P und ZnSe verglichen.