Interband<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi>Γ</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>6</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow><mml:mo>→</mml:mo><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi>Γ</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>8</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>Magnetoabsorption in HgTe

Guldner, Y.; Rigaux, C.; Grynberg, M.; Mycielski, A.

doi:10.1103/physrevb.8.3875

Cited by 102 publications

(29 citation statements)

References 10 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…The energy corresponding to the state (A16) E,,(k,) and the coefficients C;, (k,) are, respectively, the eigenvalues and eigenvectors of a numerical, 4 x 4 matrix [27]. Using (AlG) and the definition Replacing the left-hand side of (A24) with the right-hand side of (A25) and inserting (A23) we obtain immediately This completes the proof of equation (7).…”

Section: (As')mentioning

confidence: 67%

See 1 more Smart Citation

Acceptor States in Zero‐Gap Semiconductors in Magnetic Field. Theory for Short‐Range Defect potential

Gortel

Szymański

Swierkowski

1981

Physica Status Solidi (b)

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Section: (As')mentioning

confidence: 67%

“…where n, k,, kz denote Landau quantum numbers, while cr accounts for the existence of four series of Landau levels (cr = &, b*) [27];…”

Section: (As')mentioning

confidence: 99%

Acceptor States in Zero‐Gap Semiconductors in Magnetic Field. Theory for Short‐Range Defect potential

Gortel

Szymański

Swierkowski

1981

Physica Status Solidi (b)

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…В работе [19] показано, что этот уровень имеет оди-наковую природу в 2D и 3D системах, и в обозначениях Галднера и др. [20] его энергия может быть представлена следующим образом: [21]. Отметим, что зависимость от магнитного поля энергии одно-кoмпонентной волновой функции наинизшего уровня Ландау подзоны H1 в работе Криштопенко и др.…”

Section: характеристика образцовunclassified

Эффективная масса и g-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути -=SUP=-*-=/SUP=-

Гудина¹,

Неверов²,

Ильченко³

et al. 2018

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Измерены магнитополевые (0 < B < 9 Тл) зависимости продольного и холловского сопротивлений при фиксированных температурах (2 < T < 50 K) для системы HgCdTe/HgTe/HgCdTe с квантовой ямой HgTe шириной 20.3 нм. Активационный анализ кривых магнитосопротивления был использован в качестве инструмента для определения щелей подвижности между соседними уровнями Ландау. Значения энергии активации, полученные из температурных зависимостей продольного сопротивления в областях плато квантового эффекта Холла с факторами заполнения v = 1, 2, 3, позволили сделать оценки эффективной массы и g-фактора электронов в исследуемой системе. Получены указания на возможность больших значений g-фактора ( ∼ = 80). ВведениеВ гетероструктурах на основе HgTe и CdTe скомби-нированы широкозонный (CdTe) и бесщелевой (HgTe) полупроводники, основные зоны в которых образуются состояниями симметрии Ŵ8 и Ŵ6. В последние годы, благодаря развитию технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, для экспериментальных исследований стали доступны высокоподвижные структуры на основе HgTe (см., например, [1] и ссылки в ней). Слоистые квантовые структуры, образованные HgTe и CdTe, привлекают вни-мание благодаря большому разнообразию возможностей реализации зонной структуры в образцах.В зависимости от ширины одиночные квантовые ямы (QW) HgTe между барьерами, образованными CdTe (или HgCdTe с большой запрещенной щелью), могут быть реализованы в двух различных режимах [1,2]. Для кван-товых ям малой ширины открытая щель формируется между подзоной электроноподобных легких частиц (E1) и подзоной тяжелых дырок (H1), что соответствует нормальному (обычному) порядку зон. С увеличением ширины QW подзона E1 опускается ниже подзоны тяже-лых дырок H1, в то время как подзона H1 становится электронной. Такие квантовые ямы обладают инверс-ной зонной структурой. Инверсный режим наступает, когда ширина QW, d QW , становится больше критической d c ∼ = 6.3 нм.Известно, что эффективное зондирование спектра уровней Ландау (LL) можно осуществить с помощью анализа активационной проводимости в режиме кван-тового эффекта Холла (КЭХ). В такого рода экспери-ментах могут быть определены расстояния между со-седними уровнями Ландау и плотность локализованных состояний в щелях подвижности при сканировании их уровнем Ферми [3][4][5][6][7].Экспериментальное восстановление энергетического спектра особенно важно для систем со сложной зонной структурой, где картина LL не определяется только циклотронной энергией с данной эффективной массой, как для простой системы с параболическим законом дисперсии.Что касается 2D структур на основе HgTe, то в работе [8] энергии активации были определены из тем-пературных зависимостей продольного сопротивления в области плато КЭХ (ν = 1, 2) в квантовой яме HgTe шириной 6.6 нм в магнитных полях до 34 Тл при азотных температурах. Были получены указания на большие значения g-фактора (∼ 30−40).В квантовых ямах HgTe шириной меньше и больше критической d c (d QW = 5.9 и 11 нм) с конечной запре-щенной щелью КЭХ был исследован вплоть до темпе-ратур 50 K [9]. Из измерений темпе...

show abstract

“…In [17] it is shown that this level is of the same nature in two and in three dimensions and it is mapped on the b set level of Guldner et al [18] …”

Section: /(V·s)mentioning

confidence: 99%

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure

Gudina

Neverov

Novik

et al. 2017

Low Temperature Physics

View full text Add to dashboard Cite

We have measured the temperature (2.9 K < T < 50 K) and magnetic field (0 T < B < 9 T) dependences of longitudinal and Hall resistivities for HgCdTe/HgTe/HgCdTe system with HgTe quantum well width of 20.3 nm. The activation analysis of the experimental magnetoresistivity traces has been used as a quantitative tool to probe inter-Landau level distances. The activation energies were determined from the temperature dependence of the longitudinal resistivity in the regions of quantized Hall plateaus (for the filling factors ν of 1, 2 and 3) and the indications of the large values of the g factor ≅ 30-75 were found.

show abstract

InterbandΓ6→Γ8Magnetoabsorption in HgTe

Cited by 102 publications

References 10 publications

Acceptor States in Zero‐Gap Semiconductors in Magnetic Field. Theory for Short‐Range Defect potential

Acceptor States in Zero‐Gap Semiconductors in Magnetic Field. Theory for Short‐Range Defect potential

Эффективная масса и g-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути -=SUP=-*-=/SUP=-

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure

Contact Info

Product

Resources

About