Interface-state characteristics of GaN/GaAs MIS capacitors

Des structures MIS réalisées par dépǒt d'environ 1200 Å de Si3N4 sur GaAs de type n sont caractérisées à partir de mesures C–U à différentes fréquences, en particulier en limite HF et en quasistatique, et par des mesures capacitives en transitoire (méthode de Zerbst et DLTS). On observe des densités importantes (environ 1013 cm−2 eV−1) de pièges à l'interface, et deux niveaux‐pièges en volume. L'étude en fonction de la fréquence confirme le schéma équivalent classique pour les pièges d'interface avec une dispersion des constantes de temps vraisemblablement due à la répartition de ces niveaux en profondeur dans l'isolant. Une comparaison est effectuée entre les résultats des différentes techniques. Le profil de densité des pièges d'interface est déterminé dans la moitié inférieure de la bande interdite, les sections efficaces de capture sont de l'ordre de 10−12 cm2.

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Caractérisation de structures MIS (AlSi3N4GaAs) par différentes méthodes capacitives

Bogdanski

Carin

Gardais

et al. 1983

Phys. Stat. Sol. (a)

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Passivation of gallium arsenide by reactively sputtered gallium nitride thin films

Bhattacharyya

Lakshmi

1983

Microelectronics Journal

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Modification of the transient capacitance analysis of GaAs MIS structures for minority carrier lifetime determination

Bhattacharyya¹,

Lakshmi

1983

Journal of Applied Physics

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The insulators of GaAs MIS structures, because of their low temperature deposition, have relatively low resistivities compared to SiO2. This is responsible for finite leakage through the insulator when a voltage is applied across the MIS structure. The present work reports on the implications of leakage on the transient capacitance plot which is widely used for the determination of minority carrier lifetime in semiconductors.

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Interface-state characteristics of GaN/GaAs MIS capacitors

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