Interface-trap building rates in wet and dry oxides

Radiation-induced edge effects in deep submicron CMOS transistors

“…3). While the build-up of positive trapped charge is fast, the formation of interface states is known to be a slower process [12]. In NMOS transistors, the negative charge trapped in interface states only starts to compete with the oxide-trapped charge with some delay, giving origin to a well-known rebound effect.…”

Low Dose Rate Effects in Silicon Based Devices and Integrated Circuits: A Review

“…Наи-более распространенными являются модели, рас-сматривающие накопление ПС как двухстадийный процесс, протекающий с участием ионов водорода, высвобождаемых в SiO 2 [7,[16][17][18]. На первой стадии дырки, генерированные в SiO 2 при воздействии ИИ, могут переноситься как по направлению к границе Si/SiO 2 , так и по направлению к границе затвор/ SiO 2 .…”

“…Например, в случае воздействия короткого импульса ИИ накопление ПС будет наблюдаться в течение длительного времени, вплоть до 10 3 -10 4 с после окончания действия ИИ [18]. Это видно из рис.…”

“…Это видно из рис. 5 [18], где показана кинетика роста плотности ПС ∆D it после окончания действия ИИ. Облучение поглощенной дозой 75 крад(Si) про-водили с помощью линейного ускорителя электронов LINAC за разное количество импульсов электро-нов.…”

Total dose and dose rate models for bipolar transistors in circuit simulation.

“…Holes will also be caught in deep traps in the strained region of the oxide near the silicon interface. [12]. Experiments have shown that under a positive field nearly all the + H produced in the oxide is ultimately converted to interface traps [13] [14].…”