Investigation of High-Frequency Noise Characteristics in Tensile-Strained nMOSFETs

Wang, Shengchun; Su, Pin; Chen, Kun-Ming; Chen, Bo‐Yuan; Huang, Guo–Wei; Hung, Chao-Ching; Huang, Sheng‐Yi; Fan, Cheng-Wen; Tzeng, C. Y.; Chou, Sam

doi:10.1109/ted.2010.2104153

Cited by 2 publications

(2 citation statements)

References 16 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Order By: Relevance

“…As the channel length of the MOSFET is scaled down to the nanoscale regime, the noise model becomes more complicated than that in the long-channel MOSFETs because new noise contributors appear owing to the scale down effect. [1][2][3][4][5][6][7] At the high-frequency region, the drain current noise has been identified to be the dominant noise source in the MOSFET. [8][9][10][11][12][13][14] This has been mostly attributed to the thermal fluctuation causing the local noise in the channel region, which is transferred to the drain output terminal.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Shot noise effect on noise source and noise parameter of 10-nm-scale quasi-ballistic n-/p-type MOS devices

Jeon

Kang

2016

Jpn. J. Appl. Phys.

View full text Add to dashboard Cite

In this work, we investigated the noise source and noise parameters of a quasi-ballistic MOSFET at the high-frequency regime. We presented the shot noise properties in the measured drain current noise and its impact on the induced gate noise and the noise parameters of 10-nm-scale n-/p-type MOS (N/PMOS) devices for the first time. The measured noise sources and noise parameters were carefully analyzed with the shot and thermal noise models in all operation regions. On the basis of the results, new noise parameter models are proposed and the noise performance improvement in the quasi-ballistic regime is shown.

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Shot noise effect on noise source and noise parameter of 10-nm-scale quasi-ballistic n-/p-type MOS devices

Jeon

Kang

2016

Jpn. J. Appl. Phys.

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…It is due to the above-mentioned controversies that excess noise parameters used to characterize thermal noise, experience variations in some cases, e.g. see in [146], and [165][166][167], though they generally are in line.…”

Section: Modeling Of Thermal Noise In Mosts: a Short Historymentioning

confidence: 99%

Nanoscale RF CMOS transceiver design

Αντωνόπουλος¹

View full text Add to dashboard Cite

Η παρούσα διατριβή, παρέχει κατευθυντήριες γραμμές για σχεδίαση RF κυκλωμάτων, πολύ χαμηλής κατανάλωσης, εστιάζοντας στην σχεδίαση ενισχυτών χαμηλού θορύβου (LNA). Για τον σκοπό αυτό, έχει υλοποιηθεί, μετρηθεί, χαρακτηριστεί και μοντελοποιηθεί τεχνολογία 90 nm της TSMC, από συνθήκες μηδενικής συχνότητας (DC) μέχρι RF. Οι παρασιτικές χωρητικότητες που εμφανίζονται στις μετρήσεις RF και θορύβου, λόγω της ύπαρξης των δομών για την ηλεκτρική επαφή (pads) και των γραμμών μεταφοράς, έχουν αφαιρεθεί από τις δομές που μελετήθηκαν, μέσω συγκεκριμένων τεχνικών (de-embedding). Ο θερμικός θόρυβος των CMOS διατάξεων έχει μελετηθεί μέσω παραμέτρων θορύβου, οι οποίες μοντελοποιούνται και επαληθεύονται μέσω μετρήσεων για πρώτη φορά, για διάφορα μήκη καναλιού, ως προς έναν χαρακτηριστικό δείκτη αναστροφής στο κανάλι του MOS transistor, ονόματι δείκτης αναστροφής. Το βέλτιστο σημείο πόλωσης για την ελαχιστοποίηση του θορύβου, επιτυγχάνεται κοντά σε μέτρια επίπεδα αναστροφής και φαίνεται να μετατοπίζεται προς το μέσο της περιοχής μέτριας αναστροφής, με την μείωση του μήκους καναλιού. Η RF απόδοσή των ενεργών δομών της τεχνολογίας μελετάται μέσω χαρακτηριστικών δεικτών απόδοσης, οι οποίοι εξετάζονται ως προς το μήκος καναλιού και τον δείκτη αναστροφής, παρουσιάζοντας αντίστοιχη συμπεριφορά με τους δείκτες θορύβου.Τα αποτελέσματα επικυρώνονται με το συμπαγές μοντέλο EKV3.Εντέλει, παρουσιάζονται εφαρμογές όλων των παραπάνω χαρακτηριστικών απόδοσης, σε ολοκληρωμένα κυκλώματα ενισχυτών χαμηλού θορύβου. Η βέλτιστη απόδοση ενός cascode LNA στα 5 GHz επιτυγχάνεται κάνοντας χρήση του εξαχθέντος EKV3 μοντέλου, χρησιμοποιώντας τις κατευθυντήριες γραμμές που προτείνονται στα πλαίσια της διατριβής. Ο ενισχυτής πολώνεται στην περιοχή της μέτριας αναστροφής, επιτυγχάνοντας πολύ υψηλή απόδοση, λαμβάνοντας υπόψη όλους τους επιμέρους δείκτες απόδοσης, όπως κέρδος, θόρυβος, κατανάλωση,

show abstract

Investigation of High-Frequency Noise Characteristics in Tensile-Strained nMOSFETs

Cited by 2 publications

References 16 publications

Shot noise effect on noise source and noise parameter of 10-nm-scale quasi-ballistic n-/p-type MOS devices

Shot noise effect on noise source and noise parameter of 10-nm-scale quasi-ballistic n-/p-type MOS devices

Nanoscale RF CMOS transceiver design

Contact Info

Product

Resources

About