Investigation of structural, mechanical, electronic and optical responses of Ga doped aluminum arsenide for optoelectronic applications: By first principles

Ali, Anwar; Anwar, Abdul Waheed; Moin, Muhammad; Babar, Mehrunisa; Thumu, Udayabhaskararao

doi:10.1016/j.heliyon.2024.e24597

Heliyon

2024

DOI: 10.1016/j.heliyon.2024.e24597

|View full text |Cite

Investigation of structural, mechanical, electronic and optical responses of Ga doped aluminum arsenide for optoelectronic applications: By first principles

Anwar Ali,

Abdul Waheed Anwar,

Muhammad Moin

et al.

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Citation Types

Supporting

Mentioning

Contrasting

Year Published

2024

Publication Types

Select...

Article1

Relationship

Self Cite0

Independent1

Authors

Journals

Cited by 1 publication

References 54 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Order By: Relevance

UÇAK ELEKTRİK-ELEKTRONİĞİNDE GaAs YARIİLETKENLERİNDE AZOT-ARSENİK YER DEĞİŞİMİNİN ELEKTRONİK VE OPTİK ÖZELLİKLER ÜZERİNDEKİ ETKİLERİ

Yücel

2024

Yalvaç Akademi Dergisi

View full text Add to dashboard Cite

Bu çalışma, uçak teknolojisinde kullanılan GaAs yarıiletkenlerinde azot (N) katkısının elektronik ve optik özellikler üzerindeki etkilerini incelemiştir. GaAs'ın yüksek performanslı elektronik ve optoelektronik uygulamalardaki rolü göz önüne alındığında, azot katkısının etkileri teorik olarak değerlendirilmiştir. Çalışma, WIEN2k yazılımı kullanılarak Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi (DFT) ile gerçekleştirilmiştir. GaAs’ın örgü sabitinin 5,7515 Å, GaAs0,75N0,25’in ise 5,5413 Å olduğunu göstermiştir. Azot katkısının örgü parametresinde belirgin bir azalmaya yol açtığı gözlemlenmiştir. Elektronik özelliklerde, yasak band enerjisinin katkısız GaAs için 1,63 eV, azot katkılı GaAs0,75N0,25 için ise 0,61 eV olduğu hesaplanmıştır. Bu, malzemenin yüksek hızlı ve verimli elektronik devrelerde daha etkili performans sağlama potansiyelini ortaya koymaktadır. Optik özelliklerde, GaAs’ın dielektrik sabiti 11,68, GaAs0,75N0,25’in ise 9,64 olarak hesaplanmıştır. Azot katkısının dielektrik fonksiyonları ve yansıma katsayılarında belirgin değişikliklere yol açtığı, özellikle yansıma katsayısında azalmaya neden olduğu bulunmuştur. Bu bulgular, uçak teknolojisindeki optik kaplamalar ve radar gizlilik uygulamaları için önemli olabilir. Bu çalışma, GaAs ve GaAs0,75N0,25 bileşiklerinin uçak teknolojisinde yüksek performanslı yarıiletkenler için potansiyelini değerlendirmektedir. Azot katkısının etkileri, malzemelerin optimize edilmesi ve performanslarının artırılması için faydalı bilgiler sunmaktadır.

show abstract

UÇAK ELEKTRİK-ELEKTRONİĞİNDE GaAs YARIİLETKENLERİNDE AZOT-ARSENİK YER DEĞİŞİMİNİN ELEKTRONİK VE OPTİK ÖZELLİKLER ÜZERİNDEKİ ETKİLERİ

Yücel

2024

Yalvaç Akademi Dergisi

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.

Contact Info

customersupport@researchsolutions.com

10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614

Henderson, NV 89052, USA

This site is protected by reCAPTCHA and the Google Privacy Policy and Terms of Service apply.

Blog Terms and Conditions API Terms Privacy Policy Contact Cookie Preferences Do Not Sell or Share My Personal Information

Made with 💙 for researchers

Part of the Research Solutions Family.

Investigation of structural, mechanical, electronic and optical responses of Ga doped aluminum arsenide for optoelectronic applications: By first principles

Cited by 1 publication

References 54 publications

UÇAK ELEKTRİK-ELEKTRONİĞİNDE GaAs YARIİLETKENLERİNDE AZOT-ARSENİK YER DEĞİŞİMİNİN ELEKTRONİK VE OPTİK ÖZELLİKLER ÜZERİNDEKİ ETKİLERİ

UÇAK ELEKTRİK-ELEKTRONİĞİNDE GaAs YARIİLETKENLERİNDE AZOT-ARSENİK YER DEĞİŞİMİNİN ELEKTRONİK VE OPTİK ÖZELLİKLER ÜZERİNDEKİ ETKİLERİ

Contact Info

Product

Resources

About