Investigation of the atomic crystal plane relief by X-ray epitaxial film interferometer

X-ray interference topography investigation of Si/GexSi1 x/Si(001) heterosystem

“…If the inhomogeneous variation of H•u ranges up the integer m, then m interference fringes appear. In our previous paper [24], it is shown that if u is perpendicular to the crystal surface, then condition H • u = m results in displacement of the corresponding planes in the upper film and substrate at the value of md hkl . Thus, the |u 0 | value, which is necessary for appearance of an additional fringe, is |u 0 | = d hkl / cos ϕ, where ϕ is the angle between the (hkl) plane and the sample surface.…”

Методы Рентгеновской Дифракционной Топографии (О Б З О Р)

“…В работах [84,85] был предложен метод количественного анализа муаровых полос, который позволил определить тензор деформации приповерхностного слоя крем- [86], а также на гетеросистемах: GaAlAs/GaAs [87], эпитаксиальный кремний/пористый кремний/кремний [88] и Si/Ge x Si 1−x /Si [89]. Например, присутствие трансляционных полос на топограмме гетеросистемы " эпитаксиальный Si/пористый Si/Si (001)", исследованной авторами работы [88], обусловлено изгибом кристаллографических плоскостей пленки из-за локальных изменений толщины пористого слоя (рис. 8, c).…”