X-ray interference topography investigation of Si/Ge_xSi_1 x/Si(001) heterosystem

Abstract

In x-ray topographs of Si/GexSi1−x/Si(001) heterosystems, the intensity variations, which are associated with inhomogeneous GeSi thickness, are observed. The layers of GeSi and Si were grown by molecular beam epitaxy. The growth conditions preserving the pseudomorphic state of the intermediate SiGe layer from misfit dislocation appearance were kept. The topographs were recorded using a spherically bent monochromator as well as a flat one. The observed contrast peculiarities are established to be Moiré (translation fault) fringes. The displacement of interference fringes due to the crystal angular position variation is observed. For Pendellösung maxima, the dependence of their angular positions on nondiffracted layer thickness is established. The image simulated in the framework of semikinematical approach demonstrates the main contrast peculiarities observed in the topograph.

Методы Рентгеновской Дифракционной Топографии (О Б З О Р)

“…В работах [84,85] был предложен метод количественного анализа муаровых полос, который позволил определить тензор деформации приповерхностного слоя крем- [86], а также на гетеросистемах: GaAlAs/GaAs [87], эпитаксиальный кремний/пористый кремний/кремний [88] и Si/Ge x Si 1−x /Si [89]. Например, присутствие трансляционных полос на топограмме гетеросистемы " эпитаксиальный Si/пористый Si/Si (001)", исследованной авторами работы [88], обусловлено изгибом кристаллографических плоскостей пленки из-за локальных изменений толщины пористого слоя (рис.…”

X-ray crystal interferometers

“…¿ÍÔÒÇÓËÏÇÐÕÂÎßÐÑ ÕÓÂÐÔÎâÙËÑÐÐÞÇ ÒÑÎÑÔÞ ÐÂÃÎá-AEÂÎËÔß, ÐÂÒÓËÏÇÓ, ÒÓË AEË×ÓÂÍÙËË ² РÍÓÇÏÐËË, ËÏ-ÒÎÂÐÕËÓÑÄÂÐÐÑÏ ÄÞÔÑÍÑàÐÇÓÅÇÕËÚÐÞÏË ËÑÐÂÏË [25],  ÕÂÍÉÇ Ð ÅÇÕÇÓÑÔËÔÕÇÏÇ SiaGe x Si 1Àx aSi [26].…”