2005
DOI: 10.1016/j.sna.2005.06.004
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Investigation of TiO2 thick film capacitors for use as strain gauge sensors

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
1
1
1

Citation Types

0
16
0
6

Year Published

2006
2006
2024
2024

Publication Types

Select...
4
3
2

Relationship

0
9

Authors

Journals

citations
Cited by 37 publications
(22 citation statements)
references
References 25 publications
0
16
0
6
Order By: Relevance
“…There have been some concerns about the temperature dependence of thick film devices, particularly when they are fabricated so that the capacitance is measured through deformation of a flexible membrane [19]. Although this is not the case in this work, the change in capacitance with temperature was measured for each sensor between 10 o C and 60 o C. Fig.…”
Section: Temperature Effectsmentioning
confidence: 99%
“…There have been some concerns about the temperature dependence of thick film devices, particularly when they are fabricated so that the capacitance is measured through deformation of a flexible membrane [19]. Although this is not the case in this work, the change in capacitance with temperature was measured for each sensor between 10 o C and 60 o C. Fig.…”
Section: Temperature Effectsmentioning
confidence: 99%
“…The TLC556 dual CMOS timer (manufactured by Texas Instrument [20]) is used in astable configuration to generate a square wave signal with approximately 50% duty cycle. The system was developed specifically for testing the performance of the capacitive sensors [21].…”
Section: E Capacitive Interfacementioning
confidence: 99%
“…Відносно проста метода реактивного розпорошення суміші 90 ваг.% In 2 O 3 і 10 ваг.% SnO 2 при температурі 370 К відкриває хорошу перспективу викорис-тання цього резистора в тензометрії. Застосування оксидних плівкових матеріялів, зокрема, TiO 2 , як тензорезисторів є методологічною основою запропонованої в роботі [84] методи міряння коефіцієнта тензочутливости при згинанні під-кладки консольного типу. Суть його полягає в тому, що оксидна плі-вка виступає з однієї сторони як діелектричний прошарок товстоплі-вкового металевого конденсатора, а з іншої -як тензорезистор.…”
Section: тензорезистивні властивості двошарових плівок Cu/cr/пunclassified
“…Ідеї [84] надалі були реалізовані в роботі [85], але на прикладі мі-ряння γ l металевих плівок NiCr. Оскільки даний тензорезистор не є діелектриком, то величина ΔC/C в (4.1) розраховувалася на основі міряння зміни резонансної частоти плівкового LС-контура.…”
Section: тензорезистивні властивості двошарових плівок Cu/cr/пunclassified