Ion implantation doping of compound semiconductors

Degen, P. L.

doi:10.1002/pssa.2210160102

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“…Ces diverses analyses montrent donc la coexistence dans la gamme de température nécessaire pour l'activation du GaAs par ségrégation, de deux processus aux effets contraires, et donc la possibilité de croisement de deuX cinétiques pouvant ainsi limiter la ségrégation. 6. Evolution de l'état structural du substrat en fonction de T. -6.…”

Section: Précipitation De L'alcalinunclassified

“…1), ce qui est caractéristique d'un matériau amorphe [4]. Ce résultat correspond parfaitement avec le seuil d'amorphisation du GaAs mesuré par différents auteurs [5][6][7][8][9] ; celui-ci est d'environ 1014 ions/cm2 et les doses implantées dans notre cas sont dix fois supérieures. La microscopie électronique par transmission apporte à la fois une caractérisation de l'état structural du substrat par les diffractions électroniques et une information sur les défauts de structure du maté-riau par les micrographies.…”

unclassified

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Étude de la ségrégation de surface d'impuretés alcalines implantées dans l'arséniure de gallium

Alexandre¹

1978

J. Phys. France

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Section: Précipitation De L'alcalinunclassified

unclassified

Étude de la ségrégation de surface d'impuretés alcalines implantées dans l'arséniure de gallium

Alexandre¹

1978

J. Phys. France

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“…Till now, several typical CIMEs have been widely used, including in situ doping during growth process combined with post annealing, [ 14 ] thermo‐diffusion, [ 15 ] and ion beam injection. [ 16 ]…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Modulation on Radiative Recombination Rate of CdS Nanobelts by Selective Rare Earth Ions

Cheng

2021

Crystal Research and Technology

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Rare earth ions Er3+, La3+, and Y3+ have been introduced into the lattice of CdS nanobelts (NBs) to modulate its radiative recombination rate (RRR) during photoluminescence (PL) process. It is found that these ions have different quenching effects on the RRRs of direct interband transition and defect related transition. Only the former is greatly reduced through Er3+ doping, however, both of them are suppressed to a certain extent by La3+ and Y3+ doping. It is valuable that specific solid color luminescence can be realized through well‐chosen rare earth ions.

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Untersuchung von A^IIIB‐Halbleitereinkristallen mittels Rutherford‐Rückstreuung energiereicher Protonen

Geist

Flagmeyer

Otto

1975

Cryst Res and Technol

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Srbeitsgruppe L4ngewandte KernphysikUntersuchung von A1llB-Halbleitereinkristallen mittels Rutherford-Riickstreuung energiereicher Protonen ES wird uber Untersuchungen des Schatteneffektes an binaren (GaAs, Gap, InSb, GaN) und terniiren ((Ga,Al)P; (Ga, A1)As ; (Ga, A1)Sb ; (Ga, 1n)As) Halbleitereinkristallen und Epitaxieschichten mit 0,5 MeV-und 1 MeV-Protonen berichtet. Die Winkelverteilung der ruckgestreuten Protonen wurde mit Halbleiterdetektoren und Filmmaterialien gemessen. Die erhaltenen Werte der charakteristischen Schattenparameter fur die Streuung an der Kristalloberflache stimmen gut mit denen nach BARRETT berechneten uberein. Einige Anwendungsmoglichkeiten des Schatten-u. Kanalisierungseffektes bei Protonenruckstreuung fur AIIIBV-Halbleitereinkrisballe werden kurz beschrieben und Beispiele dafur angefuhrt.Axial blocking in various binary (GaAs, Gap, InSb, GaN) and ternary ((Ga, AI)P; (Ga, A1)As; (Ga, A1)Sb; (Ga, 1n)As) single crystals and epitaxial layers of the AIIIBv-type has been investigated by means of Rutherford backscattering with 0.5 MeV-and 1 MeVprotons. The angular distributions of the latter has been measured with solid-state detectors and with photographic plates. The observed "zero-depth'' values of the blocking dips are in fair agreement with theoretical predictions by BARRETT. Some applications of proton blocking and channeling to AIJIBV-compounds by backscattering are briefly described and some measuring examples are given.

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Ion implantation doping of compound semiconductors

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