T TẮTQuá trình chế tạo graphen bằng phương pháp oxi hóa hóa học graphit trong môi trường axit thu được sản phẩm với các nhóm chức chứa oxi trên lớp graphen. Vật liệu này có độ dẫn kém do vậy cần khử hóa graphen oxit bằng hydrazyl, thu được vật liệu mới (RGO) có độ dẫn tốt. RGO sau khi khử hóa được biến tính bề mặt với polystyren sunfonat nhằm tăng cường khả năng phân tán. Sử dụng vật liệu này chế tạo nanocompozit graphen/ polypyrol bằng phương pháp trùng hợp tại chỗ. Kết quả cho vật liệu nanocompozit có tính dẫn điện tốt, các hạt nanocompozit tạo thành có kích thước khoảng 250 nm.Từ khóa: polypyrol, graphen, nanocompozit, polyme dẫn.
GIỚI THIỆUPhương pháp tách lớp hóa học có thể dùng trong công nghiệp do chế tạo được graphen với lượng lớn nhưng có nhược điểm là tạo ra nhiều nhóm chức làm tính chất điện của vật liệu giảm đi nhiều [1]. Phương pháp này tạo ra graphen oxit từ graphit oxit kết hợp với siêu âm. Graphen oxit được chế tạo rất nhanh bằng phương pháp Hummers [2], oxy hóa graphit với các tác nhân oxy hóa mạnh như KMnO 4 , NaNO 3 /H 2 SO 4 /H 3 PO 4 . Quá trình oxy hóa làm khoảng cách giữa các lớp tăng lên, các lớp graphen oxit được tách ra bằng cách siêu âm trong hỗn hợp dimetyl focmamit/nước (9:1). Graphen oxit chế tạo được có hàm lượng nhóm chức cao và cần được khử để có tính chất giống với graphen [3]. Sự khử hóa học thực hiện với hydrazin monohydrat tạo thành vật liệu graphen có độ dẫn tốt tuy nhiên khả năng phân tán kém hơn do vậy sản phẩm được phủ polystyren sunfonat (PSS) bằng cách siêu âm trong dung dịch nước có chứa PSS. Mặt khác có thể sử dụng PSS như chất kích thích cho polypyrol (PPy) làm tăng độ dẫn và kiểm soát kích thước hạt. Pyrol trùng hợp nhanh hơn nhiều khi có PSS. Khi thêm muối sắt vào hỗn hợp