Localization Effect of Electrons in the InP–SiO₂ Interface

Abstract

A research on the conductivity of the InP-SiO, interface reveals a localization effect related to long-range fluctuations of the surface potential. The investigation of the negative magnetoresistance effect shows that the inelastic scattering interactions of electron-electron and electron-polar optic phonon play an important role in the I n P interface and obviously affect the negative magnetoresistance. Interaction between electrons is decisively important in activated localization conductance and Mott's mobility edge model is the limit of the model obtained by neglecting the interaction.Die Untersuchung der Leitfahigkeit der InP-Si0,-Grenzflache ergibt einen Lokalisierungseffekt, der mit weitreichenden Fluktuationen des OberflachenpotentiaIs verknupft ist. Die Untersuchung des negativen Magnetowiderstands zeigt, daI3 die inelastischen Elektronen-Elektronen-und Elektronen-polare optische Phononen-Streuwechselwirkungen eine wesentliche Rolle in der InP-Grenzflache spielen und offensichtlich den negativen Magnetowiderstand beeinflussen. Die Wechselwirkung zwischen den Elektronen ist fur die aktivierte Lokalisierungsleitfahigkeit bedeutungsvoll und das Modell der Mottschen Beweglichkeitskante ist der GrenzfaIl des Modells, der durch Vernachlassigung der Wechselwirkung erhdten wird. -1) 866 Chang Hing Road, 200050 Shanghai, The People's Republic of China.