The negative magnetoresistance effect of the InP-SiO, interface is investigated. The results indicate that the inelastic interaction of electrons with polar optical phonons plays an important role in the inelastic scattering process of the system. Es wird der negative Magnetowiderstandseffekt an der InP-Si0,-Grenzflache untersucht. Die Ergebnisse zeigen, daB die inelastische Wechselwirkung der Elektronen mit polaren optischen Phononen eine wesentliche Rolle im inelastischen Streuprozel3 des Systems spielt.

The strain and dislocation effects in various thickness GaAs/Si samples are studied by means of Raman scattering and Hall measurement at different temperatures. It is observed that the strain effect is insensitive to GaAs layer thickness above 100 nm. Dislocation defects pray an important role on the Hall mobility of the samples. The effect decreases as the thickness of GaAs layer increases.Die Dehnungs-und Versetzungseffekte in GaAs/Si-Proben mit unterschiedlicher Dicke werden mittels Ramanstreuung und Halleffektmessungen bei verschiedenen Temperaturen untersucht.Es wird beobachtet, daB der Dehnungseffekt gegenuber GaAs-Schichtdicken oberhalb 100 nm unempfindlich ist. Versetzungsdefekte spielen eine wesentliche Rolle fur die Hallbeweglichkeit der Proben. Der Effekt nimmt mit zunehmender Dicke der GaAs-Schicht ab.

A research on the conductivity of the InP-SiO, interface reveals a localization effect related to long-range fluctuations of the surface potential. The investigation of the negative magnetoresistance effect shows that the inelastic scattering interactions of electron-electron and electron-polar optic phonon play an important role in the I n P interface and obviously affect the negative magnetoresistance. Interaction between electrons is decisively important in activated localization conductance and Mott's mobility edge model is the limit of the model obtained by neglecting the interaction.Die Untersuchung der Leitfahigkeit der InP-Si0,-Grenzflache ergibt einen Lokalisierungseffekt, der mit weitreichenden Fluktuationen des OberflachenpotentiaIs verknupft ist. Die Untersuchung des negativen Magnetowiderstands zeigt, daI3 die inelastischen Elektronen-Elektronen-und Elektronen-polare optische Phononen-Streuwechselwirkungen eine wesentliche Rolle in der InP-Grenzflache spielen und offensichtlich den negativen Magnetowiderstand beeinflussen. Die Wechselwirkung zwischen den Elektronen ist fur die aktivierte Lokalisierungsleitfahigkeit bedeutungsvoll und das Modell der Mottschen Beweglichkeitskante ist der GrenzfaIl des Modells, der durch Vernachlassigung der Wechselwirkung erhdten wird. -1) 866 Chang Hing Road, 200050 Shanghai, The People's Republic of China.