Inelastic scattering of electrons at the InP‐SiO₂ interface

Abstract

The negative magnetoresistance effect of the InP-SiO, interface is investigated. The results indicate that the inelastic interaction of electrons with polar optical phonons plays an important role in the inelastic scattering process of the system. Es wird der negative Magnetowiderstandseffekt an der InP-Si0,-Grenzflache untersucht. Die Ergebnisse zeigen, daB die inelastische Wechselwirkung der Elektronen mit polaren optischen Phononen eine wesentliche Rolle im inelastischen Streuprozel3 des Systems spielt.