Low power FGMOS-based four-quadrant current multiplier circuits

Maryan, Mohammad Moradinezhad; Azhari, Seyed Javad; Ghanaatian, Ahmad

doi:10.1007/s10470-018-1120-x

Cited by 14 publications

(2 citation statements)

References 32 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…This configuration converted the CMOS inverter to a multi-input floating-gate MOS (FGMOS) inverter as described in [22]. The V in line had a voltage value equivalent to its trapped charge Q in plus the sum of capacitance times their voltages all divided by the total sum of capacitance C T [22]. By inserting the variables from (Fig.…”

Section: Antibody Comparisonmentioning

confidence: 99%

Malware Detection in Embedded Devices using Artificial Hardware Immunity

Zareen

Amador

Karam

2023

Preprint

View full text Add to dashboard Cite

With the rapid proliferation of IoT devices and its growing usage in safety-critical systems, securing these devices from malicious attacks has become increasingly challenging. Due to the resource-constrained nature of IoT devices, real-time software-based malware detection is difficult or infeasible. Alternatively, a promising approach is utilizing hardware malware detection techniques. In this paper, we introduce a novel Hardware Immune System (HWIS), a stand-alone, hardware-supported malware detection approach for microprocessors that leverages Artificial Immune Systems for detecting botnet activity. This technique is suitable for low-power, resource constrained and network facing embedded devices. The proposed model is capable of detecting botnet behavior with an accuracy of 96.7%, false negative rate of 6.5%, and F1-score of 0.96. We implemented and simulated the proposed architecture using 32nm low power PTM SPICE models and the Synopsys 32nm EDK and found the power and area overhead to be 2.57% and 5.25%, respectively, with no impact on delay, using a 28nm RISC-V CPU as a baseline.

show abstract

Section: Antibody Comparisonmentioning

confidence: 99%

Malware Detection in Embedded Devices using Artificial Hardware Immunity

Zareen

Amador

Karam

2023

Preprint

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Şekil 5. N girişli FGMOS eşdeğer devresi (N-input FGMOS equivalent circuit)[11] Bu şekilde yer alan 𝐶 𝐺𝐷 , 𝐶 𝐺𝑆 , 𝐶 𝐺𝐵 yüzen geçit ile sırasıyla akıtıcı, kaynak ve gövde arasındaki kapasitelerdir [12,13]. Tasarımlarda giriş kapasite değerleri çok yüksek seçilirse bu kapasiteler ihmal edilebilir ve parazitik kapasite olarak adlandırılır [11].…”

unclassified

Düşük Gerilim Düşük Güçlü MOSFET Tasarım Yöntemlerinin İncelenmesi

Doğan Sekreter,

Uygur,

Alçı

2024

Journal of Polytechnic

View full text Add to dashboard Cite

ÖZ Düşük güçlü ve düşük gerilimli sistemler, taşınabilir elektronik cihazlardan otomotiv sektörüne kadar birçok alanda karşımıza çıkmaktadır. Bu nedenle bu konu üzerinde birçok çalışma yapılmaktadır. MOSFET’lerin, veriminin yüksek, anahtarlama hızının yüksek ve boyutlarının küçük olmasından dolayı analog devre tasarımında kullanılan bir yapıdır. Fakat düşük gerilim düşük güçlü sistemlerde eşik geriliminin oransal olarak düşük olmaması karşılaşılan problemlerden biridir. Eşik gerilimi probleminin üstesinden gelmek amacıyla geliştirilen yöntemler bu çalışmada kapsamlı bir literatür çalışması yapılarak incelenmektedir. Geliştirilen yöntemler detaylı olarak incelenmekte ve devre yapılarına sunduğu avantajlar ve dezavantajlar hakkında bilgiler de verilmektedir.

show abstract