Luminescence studies of HgCdTe- and InAsSb-based quantum-well structures

Іжнін, І. І.; Izhnin, A. I.; Fitsych, O. I.; Войцеховский, А. В.; Gorn, D. I.; Semakova, A. A.; Bazhenov, N. L.; Mynbaev, K. D.; Zegrya, G. G.

doi:10.1007/s13204-018-0760-6

Cited by 2 publications

(1 citation statement)

References 20 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Активная область первой гетероструктуры (образец A) содержала 16 КЯ InAs 0.94 Sb 0.06 /InAs 0.78 Sb 0.07 P 0.15 с толщиной слоев 110 и 60 ¦ соответственно. В работе [14] представлено описание данной гетероструктуры, содержащей гетеропереходы I типа. Разрывы в зоне проводимости и валентной зоне составляли V c = 0.081 эВ и V v = 0.033 эВ соответственно.…”

Section: результаты и обсуждениеunclassified

Сравнительный Анализ Эффективности Электролюминесценции В Гетероструктурах I И II Типа На Основе Узкозонных Соединений А-=sup=-Iii-=/Sup=-B-=sup=-v-=/Sup=-

Баженов¹,

Мынбаев²,

Семакова³

et al. 2022

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

A detailed analysis of the mechanisms of radiative and Auger recombination in type I and II heterostructures based on narrow-gap AIIIBV materials is presented. It is shown that the presence of a heterointerface fundamentally changes the nature of these recombination processes differently, depending on the type of heterojunction. Results of our study of the electroluminescence of type I and II LED heterostructures based on InAs(Sb)/InAsSbP quantum wells are presented. It is shown that the increase in relative efficiency of radiative recombination in type II heterostructures due to suppression of Auger recombination contributes to generation of stimulated emission in these heterostructures at low temperatures (4.2−70K).

show abstract

Section: результаты и обсуждениеunclassified