Magnetic aftereffects in CoFeB/Ta/CoFeB spin valves of large area

Abstract

Magnetic aftereffect measurements on a synthetic antiferromagnet with strong perpendicular anisotropy are presented. Two types of magnetic transitions are observed in the CoFeB/Ta/CoFeB bilayer where the two ferromagnetic CoFeB layers are antiferromagnetically coupled: the transition from a parallel to an antiparallel CoFeB layers magnetization alignment and the transition between two possible antiparallel magnetization states. Magnetic relaxation measurements show a complete reversal in the case of the transition between the two antiferromagnetic configurations. The experimental data can be well fitted in the frame of extended exponential relaxation using the Fatuzzo-Labrune model. Consequently, the domain nucleation and domain-wall propagation can be studied as a function of temperature and applied field.

Effect of Fe/Fe3O4 Nanoparticles Stray Field on the Microwave Magnetoresistance of a CoFeB/Ta/CoFeB Synthetic Ferrimagnet

“…The magnetic properties of platforms I and II , as well as the interlayer exchange interaction and anisotropy of each layer, were accurately determined as per refs , . A cross-sectional structure and chemical analysis were performed with a transmission electron microscope (TEM), equipped with an energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX) analyzer . Platforms I and II were grown on a GaAs substrate by high vacuum magnetron sputtering .…”

Динамика самопроизвольных потерь намагниченности магнитов (Pr,Dy)-(Fe,Co)-B

“…1. С целью определения закона релаксации намагниченности были подобраны параметры аппроксимирующих функций, представленных в работе [16]:…”

“…Из рис. 1 видно, что наилучшей аппроксимирующей функцией является функция вида (7) (релаксация Колмогорова−Аврами−Фатуззо), так как среднеквадратичное отклонение (СКО) наиболее близко к единице [16]. Для тонких пленок размагничивание является результатом разворота спинов, а также примыкающих к ним спинов за счет энергии обмена малой дальности, что представляет собой механизм зарождения доменов обратной намагниченности или нуклеацию.…”

“…Для тонких пленок размагничивание является результатом разворота спинов, а также примыкающих к ним спинов за счет энергии обмена малой дальности, что представляет собой механизм зарождения доменов обратной намагниченности или нуклеацию. Такая модель описывает релаксацию, когда размагничивание управляется процессом нуклеации и ускоряется за счет движения доменных стенок [16]. (8); -аппроксимация данных уравнением (9).…”

“…Таким образом, время релаксации образца состава A1 составляет 420 h, параметр β равен 1.98, что соответствует незначительному вкладу смещения доменных границ. Время релаксации образца состава A2 составляет 499 h, параметр β равен 2.9, что свидетельствует о том, что вклад смещения доменных границ является доминирующим [16].…”