1973
DOI: 10.1070/pu1973v016n02abeh005167
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Magnetooptic Faraday effect in semiconductors

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1
1
1
1

Citation Types

0
8
0
1

Year Published

1981
1981
2022
2022

Publication Types

Select...
7
1

Relationship

0
8

Authors

Journals

citations
Cited by 15 publications
(9 citation statements)
references
References 4 publications
0
8
0
1
Order By: Relevance
“…2, 3, не спостерiгається помiтної дисперсiї константи Верде, обернено пропорцiйної спектральнiй розстройцi мiж початком непрямого крайового поглинання i енергiєю квантiв свiтла E. Такий внесок мав би бути присутнiм, якби край поглинання формувався прямими переходами. Згiдно з [30][31][32] спектральна залежнiсть внеску мiжзонних переходiв в ефект Фарадея в областi прозоростi у непрямозонних напiвпровiдниках мiстить двi складовi. Перша з них пов'язана з непрямими фононно-iндукованими зоназонними переходами, а друга з гiпотетичними прямими переходами вiд максимуму валентної зони до стану зони провiдностi з тим же хвильовим вектором.…”
Section: кристали Sic Iмплантованi Iонами Mnunclassified
“…2, 3, не спостерiгається помiтної дисперсiї константи Верде, обернено пропорцiйної спектральнiй розстройцi мiж початком непрямого крайового поглинання i енергiєю квантiв свiтла E. Такий внесок мав би бути присутнiм, якби край поглинання формувався прямими переходами. Згiдно з [30][31][32] спектральна залежнiсть внеску мiжзонних переходiв в ефект Фарадея в областi прозоростi у непрямозонних напiвпровiдниках мiстить двi складовi. Перша з них пов'язана з непрямими фононно-iндукованими зоназонними переходами, а друга з гiпотетичними прямими переходами вiд максимуму валентної зони до стану зони провiдностi з тим же хвильовим вектором.…”
Section: кристали Sic Iмплантованi Iонами Mnunclassified
“…[11][12][13][14][15][16] However, this method is difficult to use in actual optical systems, since modulation is only effective for the narrow infrared beam that passes the thin layer near the p -n junction. Many researchers have achieved infrared light modulation by injecting carriers through the p -n junction of Ge or GaAs.…”
Section: Plasma Absorption In Semiconductorsmentioning
confidence: 99%
“…Refs. [1][2][3][4][5][6][7][8] represent a few of the many papers that are concerned with semiconductors.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%