Methodology of analyzing the CdSe semiconductor quantum dots parameters

Михайлов, А. И.; Kabanov, V. F.; Glukhovskoy, E. G.; Shishkin, M. I.; Gavrikov, M. V.

doi:10.17586/2220-8054-2018-9-4-464-467

Cited by 4 publications

(3 citation statements)

References 8 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Localized energy levels ε i associated with the properties of a quantum-size object appear in normalized differential tunneling CVCs as individual peaks. To analyze the experimental tunneling I -V characteristics, similarly to the approaches described in [14,15], we used the dependence of (dI/dV )/(I/V ) on the voltage V , since the method of normalized differential CVCs is more informative in experimental data processing. Typical result for investigated samples are shown in Fig.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

Analysis of the energy spectrum of indium antimonide quantum dots with temperature changes

Kabanov¹,

Михайлов²,

Gavrikov³

2021

Nanosystems: Phys. Chem. Math.

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

In this paper we have analyzed the broadening of the levels of the energy spectrum of indium antimonide quantum dots with a change of sample temperature. The position of the levels was determined by processing normalized differential tunneling current-voltage characteristics using the "cubic" model of a quantum dot. Comparison of the calculated values of spectrum broadening with experimental results showed qualitative and quantitative agreement between the results. It is concluded that with a decrease in the quantum dot size and, accordingly, an increase in the energy gap ε c1 − ε v1 , the broadening in percentage will decrease, which should lead to an increase in the temperature stability of the electrophysical parameters.

show abstract

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

Analysis of the energy spectrum of indium antimonide quantum dots with temperature changes

Kabanov¹,

Михайлов²,

Gavrikov³

2021

Nanosystems: Phys. Chem. Math.

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Для дополнительного анализа использовался метод нормированных дифференциальных вольт-амперных характеристик I(V ), именно зависимостей (dI/dV )/(I/V ) от напряжения V , подробно описанный и обоснованный в [7].…”

Section: вф кабанов аи михайлов мв гавриковunclassified

Исследование Электрофизических Свойств Квантовых Точек Антимонида Индия: Значение Формы

Кабанов¹,

Михайлов²,

Гавриков³

2021

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

In this work, we studied the influence of the shape of the indium antimonide quantum dots of on some important electrophysical parameters by spectral characteristics analysis, transmission electron microscopy, scanning tunneling microscopy, a laser particle size analyzer, and scanning electron microscopy. It is shown that the real form of quantum dots (spherical and cubic models) at the same characteristic size will noticeably affect the energy spectrum of the investigated objects and, accordingly, their electrophysical and optical properties.

show abstract

“…Для более полного анализа особенностей электрофизических свойств полученных пленочных образцов с КТ, в частности электронного спектра, в настоящей работе использован метод СТМ. Исследования проводились по известным методикам [6].…”

unclassified

Исследование Электрофизических Свойств Коллоидных Квантовых Точек Антимонида Индия

Михайлов¹,

Кабанов²,

Гавриков³

2020

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

На основе анализа нормированных дифференциальных туннельных вольт-амперных характеристик проведено рассмотрение механизмов токопереноса через квантовые точки антимонида индия. Исследовано туннелирование электронов с учетом дискретного спектра квантовых точек. Проведена оценка положения первых трех уровней их электронного спектра. Показано, что механизм наблюдавшегося тока автоэлектронной эмиссии из пленочной структуры коллоидных квантовых точек антимонида индия удовлетворительно описывается теорией Моргулиса-Стрэттона в диапазоне значений напряженности электрического поля, соответствующем условиям экспериментов. Ключевые слова: квантовые точки, антимонид индия, сканирующая туннельная микроскопия, теория Моргулиса-Стрэттона.

show abstract

Methodology of analyzing the CdSe semiconductor quantum dots parameters

Cited by 4 publications

References 8 publications

Analysis of the energy spectrum of indium antimonide quantum dots with temperature changes

Analysis of the energy spectrum of indium antimonide quantum dots with temperature changes

Исследование Электрофизических Свойств Квантовых Точек Антимонида Индия: Значение Формы

Исследование Электрофизических Свойств Коллоидных Квантовых Точек Антимонида Индия

Contact Info

Product

Resources

About