2021
DOI: 10.21883/ftp.2021.03.50601.9471
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Исследование Электрофизических Свойств Квантовых Точек Антимонида Индия: Значение Формы

Abstract: In this work, we studied the influence of the shape of the indium antimonide quantum dots of on some important electrophysical parameters by spectral characteristics analysis, transmission electron microscopy, scanning tunneling microscopy, a laser particle size analyzer, and scanning electron microscopy. It is shown that the real form of quantum dots (spherical and cubic models) at the same characteristic size will noticeably affect the energy spectrum of the investigated objects and, accordingly, their elect… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2022
2022
2022
2022

Publication Types

Select...
1

Relationship

1
0

Authors

Journals

citations
Cited by 1 publication
(1 citation statement)
references
References 4 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…Соединения A 3 B 5 (прежде всего InSb) и некоторые из соединений А 2 В 6 (HgTe, HgSe) обладают характерными особенностями энергетического спектра (малая ширина запрещенной зоны ∼ 0.2 eV) и экстремально малыми значениями эффективной массы электронов проводимости. Поэтому специфические явления, связанные с размерным квантованием энергетического спектра электронов, могут проявляться в сравнительно больших по размерам структурах (например, для InSb до 30 nm), что может существенно упростить технологию получения и работу с такими объектами [1][2][3][4].…”
unclassified
“…Соединения A 3 B 5 (прежде всего InSb) и некоторые из соединений А 2 В 6 (HgTe, HgSe) обладают характерными особенностями энергетического спектра (малая ширина запрещенной зоны ∼ 0.2 eV) и экстремально малыми значениями эффективной массы электронов проводимости. Поэтому специфические явления, связанные с размерным квантованием энергетического спектра электронов, могут проявляться в сравнительно больших по размерам структурах (например, для InSb до 30 nm), что может существенно упростить технологию получения и работу с такими объектами [1][2][3][4].…”
unclassified