Methods for recovering the dislocations contour line of gallium arsenide wafer of digital image

Abstract

*Кафедра информационно-управляющих систем Кременчугский национальный университет им. Михаила Остроградского ул. Первомайская, 20, г. Кременчуг, Украина, 39600 Досліджено можливості відновлення лінії контуру ямок травлення дислокації на бінаризованому цифровому зображенні пластини арсеніду галію. Запропоновано методи визначення ширини лінії контуру, відновлення лінії контуру у перепадах яскравості граней дислокацій в площині зображення пластини, відновлення розгалужень. Наводиться покроковий опис методів відновлення лінії контуру дислокації на цифровому зображенні пластини арсеніду галію Ключові слова: дислокація, ямки травлення, відновлення лінії контуру, арсенід галію, цифрове зображення Исследованы возможности восстановления линии контура ямок травления дислокации на бинаризованном цифровом изображении пластины арсенида галлия. Предложены методы определения ширины линии контура, восстановления линии контура по яркостным перепадам предполагаемых граней дислокаций в плоскости изображения пластины, восстановления разветвлений. Приводится пошаговое описание методов восстановления линии контура дислокации цифрового изображения пластины арсенида галлия Ключевые слова: дислокация, ямки травления, восстановление линии контура, арсенид галлия, цифровое изображение

Development of methods for separation of binarized fragments of etching pits of semiconductor wafer

“…В работе [5] рассмотрены подходы к восстановле-нию линии контура и предложены методы получения дескрипторов формы и методов описания контура. Од-нако, получение множества фрагментов, которые могут быть обработаны упомянутыми методами восстановления контуров является отдельной задачей, которая не может быть решена без предварительной локализации и выде-ления смежных фрагментов ямок травления.…”

“…Предлагаемые методы дополняют признаки ямок травления, предложенные в работах [4,5], в направлении исследований с целью получения сведений о плотнос-ти дислокаций в процессе мониторинга производства объемных монокристаллов полупроводника по методу Чохральского и создания информационной системы технической диагностики качества выхода продукции.…”

“…Интенсивность яркости линии контуров I = 0 [4,5]. Длина линии контура не может быть определена в силу его прерывистости.…”

“…Для уточнения возможности использования пока-зателя округлости по формуле (3), возьмем за основу постоян ную ширину линии контура фрагментов кон-туров ямок травления дислокаций в пикселях изобра-жения [4,5]. Определяя эталонную ширину с выбором оператора T min , = 5 оценим возможности показателя округлости по формуле (3) для фигуры прямоуголь-ной формы и окружности.…”

“…Таким образом, метод фильтрации бинаризованных фрагментов ямок травления пластины полупроводника использует эталонную ширину линии контура на пред-варительно обработанном бинаризованном изображении T min [4,5] и определяет минимальную площадь фраг-мента A при соотношении сторон 1 : 4 по формуле (3).…”