Представлены результаты исследования технологии создания магниторезистивных (МР) элементов на основе многослойных спин-вентильных МР (СВМР) Ta−FeNiCo−CoFe−Cu−CoFe−FeNiCo−FeMn−Ta-на-ноструктур и CoNi-микромагнитов для построения цифровых гальванических развязок и преобразователей магнитного поля. Представлены результаты экспериментальных исследований тестовых элементов на основе многослойных СВМР наноструктур с МР эффектом 7−8% и пленки из магнитотвердого материала с коэрцитивной силой до 95 Oe, сформированных на одном кристалле. DOI: 10.21883/JTF.2018.06.46033.2489 На сегодняшний день в мире наблюдается постоянный интерес к разработке и исследованию тонкопленочных магниторезистивных (МР) элементов, связанный с от-крытием в 1988 г. гигантского МР (ГМР) эффекта. Разрабатываются и выпускаются различного типа пре-образователи магнитного поля и тока [1,2], головки считывания для магнитных дисков [3], гальванических развязок (ГР) [4]. Ведутся разработки запоминающих элементов и устройств на их основе [5], логических элементов, спиновых транзисторов, биосенсоров на ос-нове МР чувствительных элементов [6]. Выпускаются измерительные системы на основе МР преобразовате-лей: диагностика объектов с близлежащими магнитными полями, медицинские системы, компасы и т. п.В настоящее время на рынке существует потребность в высокоэффективных МР преобразователях магнитного поля для контроля слабого магнитного поля и ГР для за-щиты входных цепей электронных приборов и устройств. МР преобразователи представляют собой мостовую схему с магниточувствительными плечами из полосок на основе напыленных многослойных наноструктур с ферромагнитными пленками, сформированную на окис-ленной кремниевой подложке [7]. При воздействии на мостовую схему магнитного поля происходит изменение магнитосопротивления полосок и формируется нечетная или четная вольт-эрстедная характеристика (ВЭХ) пре-образователя, чувствительность которой зависит, в том числе, и от оптимального угла разворота векторов на-магниченности ферромагнитных пленок МР нанострук-туры в полоске. Одним из перспективных методов для разворота векторов намагниченности полосок является формирование напыленных CoNi-микромагнитов на од-ном кристалле с МР наноструктурами [8], разворачива-ющих своим постоянным магнитным полем векторы на-магниченности ферромагнитных пленок наноструктуры на оптимальный угол.Современные высокочувствительные преобразователи магнитного поля и цифровые ГР построены на нано-структурах с ГМР эффектом, которые работают при слабых магнитных полях (до 1 mТ). Некоторые про-мышленно выпускаемые ГР, основанные на ГМР нано-структурах, имеют ряд технических преимуществ перед оптическими и работают на частотах до 200 MHz [7][8][9].Нами исследованы преобразователи и чувствительные элементы ГР на основе спинвентильных МР (СВМР) Ta−FeNiCo−CoFe−Cu−CoFe−FeNiCo−FeMn−Ta-нано-структуры. В подобных наноструктурах в нижней ферромагнитной FeNiCo-пленке (свободной) вектор намагниченности реагирует на внешнее магнитное поле, а в верхней (фиксированной) вектор намагниченности зафиксирован благод...