Представлены результаты экспериментальных исследований магнитострикционных и магниторезистивных свойств тонкопленочных многослойных наноструктур Ta/FeNiCo/CoFe/Ta и Ta/FeNiCo/CoFeВ/Ta на окисленных кремниевых подложках диаметром 100 мм. Экспериментально установлена зависимость величины анизотропного магниторезистивного эффекта от величины механических деформаций в экспериментальных образцах наноструктур. The paper presents the results of experimental studies of the magnetostriction and magnetoresistive properties of thin-film multilayer nanostructures Ta/FeNiCo/CoFe/Ta and Ta/FeNiCo/CoFeB/Ta on oxidized silicon substrates with a diameter of 100 mm. The dependence of the magnitude of the anisotropic magnetoresistive effect on the magnitude of mechanical strains in experimental samples of nanostructures has been experimentally established.

Представлены результаты исследования технологии создания магниторезистивных (МР) элементов на основе многослойных спин-вентильных МР (СВМР) Ta−FeNiCo−CoFe−Cu−CoFe−FeNiCo−FeMn−Ta-на-ноструктур и CoNi-микромагнитов для построения цифровых гальванических развязок и преобразователей магнитного поля. Представлены результаты экспериментальных исследований тестовых элементов на основе многослойных СВМР наноструктур с МР эффектом 7−8% и пленки из магнитотвердого материала с коэрцитивной силой до 95 Oe, сформированных на одном кристалле. DOI: 10.21883/JTF.2018.06.46033.2489 На сегодняшний день в мире наблюдается постоянный интерес к разработке и исследованию тонкопленочных магниторезистивных (МР) элементов, связанный с от-крытием в 1988 г. гигантского МР (ГМР) эффекта. Разрабатываются и выпускаются различного типа пре-образователи магнитного поля и тока [1,2], головки считывания для магнитных дисков [3], гальванических развязок (ГР) [4]. Ведутся разработки запоминающих элементов и устройств на их основе [5], логических элементов, спиновых транзисторов, биосенсоров на ос-нове МР чувствительных элементов [6]. Выпускаются измерительные системы на основе МР преобразовате-лей: диагностика объектов с близлежащими магнитными полями, медицинские системы, компасы и т. п.В настоящее время на рынке существует потребность в высокоэффективных МР преобразователях магнитного поля для контроля слабого магнитного поля и ГР для за-щиты входных цепей электронных приборов и устройств. МР преобразователи представляют собой мостовую схему с магниточувствительными плечами из полосок на основе напыленных многослойных наноструктур с ферромагнитными пленками, сформированную на окис-ленной кремниевой подложке [7]. При воздействии на мостовую схему магнитного поля происходит изменение магнитосопротивления полосок и формируется нечетная или четная вольт-эрстедная характеристика (ВЭХ) пре-образователя, чувствительность которой зависит, в том числе, и от оптимального угла разворота векторов на-магниченности ферромагнитных пленок МР нанострук-туры в полоске. Одним из перспективных методов для разворота векторов намагниченности полосок является формирование напыленных CoNi-микромагнитов на од-ном кристалле с МР наноструктурами [8], разворачива-ющих своим постоянным магнитным полем векторы на-магниченности ферромагнитных пленок наноструктуры на оптимальный угол.Современные высокочувствительные преобразователи магнитного поля и цифровые ГР построены на нано-структурах с ГМР эффектом, которые работают при слабых магнитных полях (до 1 mТ). Некоторые про-мышленно выпускаемые ГР, основанные на ГМР нано-структурах, имеют ряд технических преимуществ перед оптическими и работают на частотах до 200 MHz [7][8][9].Нами исследованы преобразователи и чувствительные элементы ГР на основе спинвентильных МР (СВМР) Ta−FeNiCo−CoFe−Cu−CoFe−FeNiCo−FeMn−Ta-нано-структуры. В подобных наноструктурах в нижней ферромагнитной FeNiCo-пленке (свободной) вектор намагниченности реагирует на внешнее магнитное поле, а в верхней (фиксированной) вектор намагниченности зафиксирован благод...