Mid-infrared light-emitting diodes

Микрооптопара (λ = 3.4 μm) на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAs для измерения концентрации этанола в водном растворе методом МНПВО

“…где n in j -концентрация неравновесных ( " инжектированных") носителей заряда, A, B, C -экспериментально определяемые коэффициенты, отвечающие механизмам рекомбинации Шокли-Рида-Холла, излучательной и оже-рекомбинации соответственно. Параметры A−B−C при выбранной температуре являются фундаментальной характеристикой СД, которая была исследована во многих светодиодах видимого [14] и среднего ИК диапазона [16] Нельзя не отметить и то, что используемый в датчике МНПВО материал волновода -InAs имеет высокий показатель преломления (ň = 3.4), что позволяет измерять широкий класс веществ, например, полимеры (ň = 1.4−1.6).…”

К вопросу о механизмах разогрева светодиодов на основе p-InAsSbP/n-InAs(Sb)

“…И наконец, в четвертой, самой многочисленной, группе работ активно обсуждается оже-рекомбинация в средневолновых лазерах, СД и термофотовольтаических преобразователях, однако вопросы токового разогрева не рассматриваются вовсе (см., например, [17][18][19][20]).…”

Mid-infrared HgTe Colloidal Quantum Dot LEDs

“…Mid-infrared lightemitting diodes (LEDs) afford compactness, narrow spectra, high modulation speed, and small heat load compared to thermal elements, albeit at higher costs. 1,2 Commercial infrared (IR) LEDs use single-crystal epitaxial materials, and mid-IR LEDs are more difficult to fabricate than near-IR LEDs while emitting about 100 to 1000 times less power. 2,3 Part of the increased difficulty is because radiative recombination at room temperature is less efficient with smaller bandgaps.…”

“…Mid-infrared light sources are important for infrared gas sensing and spectroscopy. Mid-infrared light-emitting diodes (LEDs) afford compactness, narrow spectra, high modulation speed, and small heat load compared to thermal elements, albeit at higher costs. , Commercial infrared (IR) LEDs use single-crystal epitaxial materials, and mid-IR LEDs are more difficult to fabricate than near-IR LEDs while emitting about 100 to 1000 times less power. , Part of the increased difficulty is because radiative recombination at room temperature is less efficient with smaller bandgaps. A typical commercial LED for the gas sensing region around 4.3 μm is based on the precise growth of GaSb and InAs epitaxial alloy layers, has a quantum efficiency of ∼10 –3 and a power conversion efficiency of ∼10 –3 , and emits about 50 μW for a 0.1 mm 2 device .…”