Moore’s law realities for recording systems and memory storage components: HDD, tape, NAND, and optical

Abstract

This paper describes trends in the storage technologies associated with Linear Tape Open (LTO) Tape cartridges, hard disk drives (HDD), and NAND Flash based storage devices including solid-state drives (SSD). This technology discussion centers on the relationship between cost/bit and bit density and, specifically on how the Moore’s Law perception that areal density doubling and cost/bit halving every two years is no longer being achieved for storage based components. This observation and a Moore’s Law Discussion are demonstrated with data from 9-year storage technology trends, assembled from publically available industry reporting sources.

Efficient routing protocol for concave unstable terahertz nanonetworks

“…In terms of memory capacity of the sub-millimeter node, the current advances allow expecting a memory size of about a few dozens of MB [38]. On the other hand, the memory size impacts on the energy consumption of the nanonode (activation, pre-charging, refreshing, read, write) [39].…”

Reliability of NAND Flash Arrays: A Review of What the 2-D–to–3-D Transition Meant

“…This latter distribution arises from the variability in the impact on V T of localized tunnel-oxide defects placed at different positions over the cell channel area, in the presence of the typical percolative source-to-drain conduction of nanoscale devices [43]. In the most common case, the V 1 T distribution has been shown to approximate an exponential statistics [43] and this is the reason for the exponential behavior of the tails in the V T distribution shown in Fig. 10(a) [42].…”

“…T HE NAND Flash technology has become, today, the undisputed leader in the nonvolatile memory market, largely overcoming the hard-disk drive (HDD) technology in terms of revenues [1]. This outcome has been determined by the capability of the NAND Flash solution to address quite a variety of applications better than any other storage technology, thanks to successful tradeoffs among cost, performance, and reliability.…”

Δυναμική Της Μαγνήτισης Σε Πεπερασμένη Θερμοκρασία Σύνθετων Νανοδομικών Υλικών

“…Οι περισσότερες όμως εφαρμογές των νανομαγνητικών υλικών έχουν επιτευχθεί στη μηχανική των υπολογιστών. Η τεχνολογία μαγνητικής αποθήκευσης εξελίχθηκε με ραγδαίους ρυθμούς τις τελευταίες δεκαετίες, γεγονός που αποτυπώνεται ευκρινώς στο σχήμα (Σχ.1.7) [15]. Η αύξηση της μαγνητικής μνήμης τα τελευταία χρόνια οφείλεται στην ανάπτυξη των μαγνητικών νανοσωματιδίων και των λεπτών υμενίων, που αποτελούν πλέον βασικό υλικό κατασκευής των σκληρών δίσκων και των μαγνητικών κεφαλών ανάγνωσης.…”

“…Το 1986 βραβεύτηκαν με το Nobel Φυσικής δυο διαφορετικές ερευνητικές ομάδες (Grunberg et al, Fert et al) μετά την παράλληλη ανακάλυψη του φαινομένου της γιγαντιαίας μαγνητοαντίστασης (GMR) [19,20]. Σύμφωνα με το Δυναμική της μαγνήτισης σύνθετων νανοδομικών υλικών Σχήμα 1.7: Χρονική εξέλιξη της επιφανειακής πυκνότητας των διατάξεων μαγνητικής αποθήκευσης [15]. Παρατηρείται συστηματική αύξηση της μαγνητικής μνήμης.…”