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A theoretical analysis of high-field electron transport in CdTe has been performed with the Monte Carlo technique for different temperatures and ionized impurity contents. The negative differential mobility is due t o the combined effect of the increasing population of the low-mobility satellite valleys and of the intervalley scattering on the mobility of the electrons in the central valley. Which of the above mechanisms is predominant depends on the particular values of physical parameters which, in the case of CdTe, are not yet well known. Ionized impurity scattering maintains its influence on the electron drift velocity also a t very high applied fields, above the threshold value (around 10.5 kV/cni at 77 OK). At these fields the electron mean energy is very high. and one would expect the effect of such scattering to be negligible. This feature must not be attributed to an effect of the ionized impurities on very fast electrons but rather to the larger number of electrons that ionized impurity scattering keeps in the more randomized low energy part of the distribution function. The present theoretical results are discussed and compared with recent experimental data.Les previsions thkoriques des proprietks du transport des electrons en CdTe en fonction de hautes valeurs du champ klectrique ont Btk ktudikes avec la mkthode Monte Carlo. On a considkre de differentes valeurs de la temperature et de la concentration des impuritks ionisbes. La mobilitk diffkrentielle negative est ici attribuke It deux phknomenes combines: i) a l'augmentation de la population des klectrons dans les vallkes supkrieures caracterisbes par une faible mobilitk, e t ii) It l'effet du scattering vallke-vallee qui influence la mobilitk des klectrons dans la vallee centrale. A cause de I'incertitude sur les donnees physiques du CdTe le mkcanisme qui est dominant ne peut pas 6tre connu. On a calculk que le scattering attribuk aux impuritbs ionisees contribue A la vitesse de derive m6me en prksence de tres hautes valeurs du champ klectrique au-dessus de la valeur de seuil (environ 10,5 kV/cm A 77 OK). Cela est en dksaccord avec la prevision que ce mkcanisme de scattering devrait &%re presque nkgligeable &ant tres haute l'knergie moyenne des klectrons It ces valeurs du champ Blectrique. On n'attribue pas cet effet au scattering produit par les impurites ioniskes sur des klectrons trbs rapides, mais plutBt au fait que nombreux klectrons sont localises dans la region de la fonction de distribution Q faible knergie par effet du scattering avec lcs impuritks ioniskes. Dans cette region la distribution des vitesses des klectrons est bien plus isotrope. On discute et on compare nos resultats thhoriques avec de rkcens rksultats exp6rimentaux.
A theoretical analysis of high-field electron transport in CdTe has been performed with the Monte Carlo technique for different temperatures and ionized impurity contents. The negative differential mobility is due t o the combined effect of the increasing population of the low-mobility satellite valleys and of the intervalley scattering on the mobility of the electrons in the central valley. Which of the above mechanisms is predominant depends on the particular values of physical parameters which, in the case of CdTe, are not yet well known. Ionized impurity scattering maintains its influence on the electron drift velocity also a t very high applied fields, above the threshold value (around 10.5 kV/cni at 77 OK). At these fields the electron mean energy is very high. and one would expect the effect of such scattering to be negligible. This feature must not be attributed to an effect of the ionized impurities on very fast electrons but rather to the larger number of electrons that ionized impurity scattering keeps in the more randomized low energy part of the distribution function. The present theoretical results are discussed and compared with recent experimental data.Les previsions thkoriques des proprietks du transport des electrons en CdTe en fonction de hautes valeurs du champ klectrique ont Btk ktudikes avec la mkthode Monte Carlo. On a considkre de differentes valeurs de la temperature et de la concentration des impuritks ionisbes. La mobilitk diffkrentielle negative est ici attribuke It deux phknomenes combines: i) a l'augmentation de la population des klectrons dans les vallkes supkrieures caracterisbes par une faible mobilitk, e t ii) It l'effet du scattering vallke-vallee qui influence la mobilitk des klectrons dans la vallee centrale. A cause de I'incertitude sur les donnees physiques du CdTe le mkcanisme qui est dominant ne peut pas 6tre connu. On a calculk que le scattering attribuk aux impuritbs ionisees contribue A la vitesse de derive m6me en prksence de tres hautes valeurs du champ klectrique au-dessus de la valeur de seuil (environ 10,5 kV/cm A 77 OK). Cela est en dksaccord avec la prevision que ce mkcanisme de scattering devrait &%re presque nkgligeable &ant tres haute l'knergie moyenne des klectrons It ces valeurs du champ Blectrique. On n'attribue pas cet effet au scattering produit par les impurites ioniskes sur des klectrons trbs rapides, mais plutBt au fait que nombreux klectrons sont localises dans la region de la fonction de distribution Q faible knergie par effet du scattering avec lcs impuritks ioniskes. Dans cette region la distribution des vitesses des klectrons est bien plus isotrope. On discute et on compare nos resultats thhoriques avec de rkcens rksultats exp6rimentaux.
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