NEMS switch with 30nm-thick beam and 20nm-thick air-gap for high density non-volatile memory applications

Jang, Weon Wi; Yoon, Jun‐Bo; Kim, Min Sang; Lee, Ji-Myoung; Kim, Sung-Min; Yoon, Eunchul; Cho, Keun Hwi; Lee, Sung‐Young; Choi, In Sil; Kim, Dong-Won; Park, Donggun

doi:10.1016/j.sse.2008.06.026

Cited by 91 publications

(39 citation statements)

References 13 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Kebiasaannya, kebocoran arus diukur daripada segi buai sub-ambang yang perlu diturunkan ke nilai yang paling rendah. Jumlah terendah untuk buai sub-ambang bagi peranti CMOS adalah ~60 mV untuk setiap dekad pada suhu bilik dan jumlah lebih rendah iaitu di bawah 3 mV untuk setiap dekad telah dilaporkan untuk peranti-peranti NEM (Abele et al 2005;Jang et al 2008b). Dalam situasi suis 3-T NEM dengan elektrod get bebas dan elektrod saliran bebas pula, kebocoran get sebahagian besarnya tidak terjejas apabila suis ditutup serta masih dihadkan oleh terowong vakum dan gerakan.…”

Section: Prinsip Asas Operasi Suis Nem Dan Penggunaan Kuasanyaunclassified

“…Secara jelasnya, peningkatan rintangan sepatutnya akan memperlahankan kadar nyahcas seterusnya mengurangkan ketumpatan arus elektrik ke arah nilai keadaan-pegun. Sebagai contoh, penambahan salutan lapisan oksida ultranipis akan meningkatkan rintangan sentuhan dalam peranti seperti yang telah dikaji sebelum ini (Jang et al 2008b). Semua ini telah menunjukkan bahawa peranti tersebut boleh beroperasi untuk ratusan kitaran sebelum ciri pensuisan mulai merosot disebabkan oleh lapisan oksida yang telah haus (Rajah 7(b)).…”

Section: Kemajuan Kini Dan Kebolehharapan Peranti Suis Nemunclassified

See 1 more Smart Citation

Peranti Suis Sistem Nanoelektromekanikal (NEMS) Berunsurkan Grafin dan Tiub Nano Karbon (CNT)

Zulkefli

Mohamed

Siow

et al. 2018

JSM

View full text Add to dashboard Cite

Pembangunan teknologi nano membuatkan kami meneliti semula satu idea pengkomputeran mekanikal yang dicadangkan oleh Charles Babbage kira-kira dua abad yang lalu. Walaupun idea pengkomputeran mekanikal masih tidak dapat dilaksanakan secara sepenuhnya buat ketika ini kerana isu kebolehharapan yang rendah, tetapi idea ini mempunyai potensi untuk mengatasi kemajuan dalam mikro/ nanoelektronik yang selama ini diwakili oleh hukum Moore yang dicadangkan oleh Gordon Moore pada tahun 1965. Hukum Moore meramalkan bahawa dengan mengurangkan saiz komponen dalam litar berintegrasi, bilangan komponen pada litar berintegrasi ini akan meningkat dua kali ganda setiap dua belas bulan (Moore 1965). Seperkara lagi, apabila kita telah mencapai had penskalaan transistor semikonduktor, had penskalaan ini menandakan masa untuk mencipta dan mereka bentuk transistor semikonduktor yang baru (Theis & Solomon 2012).Kejayaan industri semikonduktor boleh dinilai berdasarkan dua faktor iaitu prestasi ketahanan mekanikal dan proses fabrikasi berskala. Oleh kerana saiz peranti semikonduktor dikurangkan kepada beberapa puluhan nanometer dan permintaan untuk lebih banyak aplikasi terus meningkat, strategi lain amat diperlukan. Sebagai contoh,

show abstract

Section: Prinsip Asas Operasi Suis Nem Dan Penggunaan Kuasanyaunclassified

Section: Kemajuan Kini Dan Kebolehharapan Peranti Suis Nemunclassified

Peranti Suis Sistem Nanoelektromekanikal (NEMS) Berunsurkan Grafin dan Tiub Nano Karbon (CNT)

Zulkefli

Mohamed

Siow

et al. 2018

JSM

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…The first demonstration of an electrostatically actuated mechanical switch with nanometer-scale dimensions fabricated using a top-down process was published by Jang et al; however, it is a two-terminal device [40,41], not suitable for logic applications. A nanoscale 3T relay from the same research team was reported soon afterwards (Figure 6b) [42]: the length of the beam is 700 nm and the as-fabricated contact gap thickness is 40 nm.…”

Section: First Demonstration Of a Nem Relay Using A Cmos-compatible "mentioning

confidence: 99%

Nanoelectromechanical Switches for Low-Power Digital Computing

Peschot¹,

Qian²,

Liu³

2015

Micromachines

View full text Add to dashboard Cite

Abstract:The need for more energy-efficient solid-state switches beyond complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) transistors has become a major concern as the power consumption of electronic integrated circuits (ICs) steadily increases with technology scaling. Nano-Electro-Mechanical (NEM) relays control current flow by nanometer-scale motion to make or break physical contact between electrodes, and offer advantages over transistors for low-power digital logic applications: virtually zero leakage current for negligible static power consumption; the ability to operate with very small voltage signals for low dynamic power consumption; and robustness against harsh environments such as extreme temperatures. Therefore, NEM logic switches (relays) have been investigated by several research groups during the past decade. Circuit simulations calibrated to experimental data indicate that scaled relay technology can overcome the energy-efficiency limit of CMOS technology. This paper reviews recent progress toward this goal, providing an overview of the different relay designs and experimental results achieved by various research groups, as well as of relay-based IC design principles. Remaining challenges for realizing the promise of nano-mechanical computing, and ongoing efforts to address these, are discussed.

show abstract

“…Jang et al [113] fabricated a cantilever type and a clamped switch type NEMS NVM device using conventional CMOS fabrication technology, having a beam thickness of 30 nm and an air gap between the suspended bridge/cantilever and the floating gate being 20 nm. They observed a ON/OFF ratio of *10 5 a subthreshold slope (of bit switching) to be about 3 mV/dec and showed endurance of several hundred P/E cycles.…”

Section: Nanomechanical/mass Transport Memoriesmentioning

confidence: 99%