New approach to the manufacturing of power microwave bipolar transistors: A computer simulation

Peculiarities of the method in internal formation of structures in bipolar and CMOS technologies

“…Экспериментальные исследования проводились на КМОП-структурах, изготовленных на пластинах монокремния марки КЭФ4,5(100), карманы которых изготавливались по новой [22] С учетом результатов работы [30] была разработана физическая модель [31], объясняющая влияние рельефности области пространственного заряда (ОПЗ) коллекторного перехода транзистора в активном режиме работы с учетом растекания неосновных носителей с боковой поверхности эмиттерных переходов в базу транзистора на его параметры (рис. 5).…”

“…Анализ профилей распределения примесей в активной области транзисторной структуры позволяет объяснить экспериментальные результаты по электрическим характеристикам рассматриваемого биполярного транзистора, изготовленного по стандартной и предложенной (новой) технологиям. Снижение концентрации бора вдоль боковых участков эмиттерного pn-перехода в новой технологии по сравнению со стандартной [30] позволяет объяснить уменьшение C Э . В то же время более низкий уровень концентрации примесей у боковых участков эмиттерного p-n-перехода в новой технологии обуславливает и повышение напряжения пробоя перехода эмиттер -база по сравнению со стандартной технологией.…”

“…Важно также подчеркнуть, что слой диэлектрика на поверхности коллектора транзисторной структуры, формируемый по новой технологии [30] Следует отметить, что транзисторы, изготовленные по новой технологии, отдают одну и ту же мощность P вых при меньшем токе коллектора I К , нежели обычные, но при одной и той же мощности на входе P вх . При этом КПД у них выше за счет меньшей мощности источника питания на коллекторе.…”