New junctionless RADFET dosimeter design for low‐cost radiation monitoring applications

Arar, D.; Djeffal, Fayçal; Bentrcia, Toufik; Chahdi, M.

doi:10.1002/pssc.201300146

Cited by 8 publications

(2 citation statements)

References 16 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Differ from traditional PMOS radiation sensing field effect transistor (RADFET) and some other direct ion storage dosimeter, dual-dielectric gate all around RADFET and junctionless gate all around RADFET [6]- [9], these devices normally consist two polysilicon layers, one of which named floating gate is used to store charge and is electrically isolated. The other one is divided into a large control gate section and a small injector gate section.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Feasibility Study of Semifloating Gate Transistor Gamma-Ray Dosimeter

Wang

Xiang

et al. 2015

IEEE Electron Device Lett.

View full text Add to dashboard Cite

The feasibility study of semifloating gate (SFG) transistor dosimeter consisting a large area p-i-n diode between floating gate and drain region is described. No bias is applied during irradiation. The SFG is charged via the diode when exposed to gamma rays, and reset with the diode positively biased. A comprehensive device simulation that includes the mechanism of charge collection, the operation of device's threshold voltage (V th) reading, and the effect of diode dark current have been carried out with sentaurus TCAD. As a result, high linear dependence of the V th on the absorbed dose of ionizing radiation is observed with a sensitivity of 65.8 mV/Gy, which suggests that this device could be used as a sensitive gamma-ray dosimeter.

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Feasibility Study of Semifloating Gate Transistor Gamma-Ray Dosimeter

Wang

Xiang

et al. 2015

IEEE Electron Device Lett.

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…В настоящее время, с развитием новых технологий, проводятся исследования как по совершенствованию традиционных металл-ок-сид-полупроводниковых (МОП или MOS) ра-диационно-чувствительных ПТ (RADFET) [3][4][5], так и по созданию новых специальных конструкций, таких как с плавающим затвором МОППТ (FG-MOS) [6], или ультрасовремен-ных на основе наноструктур беспереходных с окольцовывающим затвором радиочувстви-тельных ПТ (JL GAA RADFET) [7]. Однако та-кие детекторы радиации весьма дорогостоящи, сложны в изготовлении и требуют дополни-тельных, подверженных радиационным изме-нениям вспомогательных элементов, посколь- …”

unclassified

Радиационно Чувствительный Детектор На Основе Полевых Транзисторов

Викулин¹,

Горбачев²,

Назаренко³

2017

Известия вузов. Радиоэлектроника

View full text Add to dashboard Cite

Аннотация. Экспериментально исследована возможность создания детекторов радиации на основе поле-вых транзисторов. В качестве информационного параметра выбран ток насыщения транзистора. По дан-ным эксперимента наблюдается уменьшение тока насыщения стока полевых транзисторов с p-n-перехо-дом в качестве затвора после радиационного облучения. В МОП полевых транзисторах при радиационном дефектообразовании конкурируют два эффекта, поэтому результат радиационного воздействия значи-тельно зависит от электрофизических свойств транзисторов до облучения и от поглощенной дозы облуче-ния. Показано, что начиная с определенных значений поглощенной дозы облучения у всех образцов с ма-лыми значениями концентрации электронов в канале ток насыщения увеличивается с увеличением погло-щенной дозы облучения, а у всех образцов с большими значениями концентрации электронов в канале -уменьшается. Полученные зависимости тока насыщения стока полевых транзисторов от дозы радиацион-ного облучения позволили разработать простую конструкцию детектора малых уровней радиации. Для уменьшения влияния температурных флуктуаций в датчике использована схема измерительного моста. Путем использования двух пар полевых транзисторов с противоположным знаком радиационной чувстви-тельности чувствительность такого детектора увеличивается в несколько раз.Ключевые слова: детектор радиации; полевой транзистор; мостовая схема; радиационная чувствитель-ность Современное развитие атомной промыш-ленности, радиационной медицины, исследо-ваний в области физики высоких энергий вы-двигает на первый план разработку высокочув-ствительных компактных детекторов ионизи-рующего излучения. Радиационное воздейст-вие приводит к изменению электрофизических параметров всех полупроводниковых прибо-ров [1], однако полевые транзисторы (ПТ) ока-зываются наиболее чувствительными к иони-зирующему облучению. Поэтому они стали ис-пользоваться в качестве датчиков радиации практически сразу после появления серийных промышленных образцов ПТ с р-n-переходом в качестве затвора (JFET) [2]. В настоящее время, с развитием новых технологий, проводятся исследования как по совершенствованию традиционных металл-ок-сид-полупроводниковых (МОП или MOS) ра-диационно-чувствительных ПТ (RADFET) [3][4][5], так и по созданию новых специальных конструкций, таких как с плавающим затвором МОППТ (FG-MOS) [6], или ультрасовремен-ных на основе наноструктур беспереходных с окольцовывающим затвором радиочувстви-тельных ПТ (JL GAA RADFET) [7]. Однако та-кие детекторы радиации весьма дорогостоящи, сложны в изготовлении и требуют дополни-тельных, подверженных радиационным изме-нениям вспомогательных элементов, посколь-

show abstract