Non‐linear optical properties and structure of wide band gap non‐crystalline semiconductors

Abstract

The non‐linear two‐photon absorption coefficient (TPA) of ternary Ge‐As‐S glasses of different sections (As2S3‐GeS2, As2S3‐Ge2S3, As‐GeS2, As‐Ge2S3) was measured at 690 nm. The obtained data were interpreted based on the evolution of the glass structure and mean coordination number with the composition. Raman spectroscopy was used to investigate the bonding configuration of the glasses and the structural interpretation of the vibrational bands was performed based on DFT calculations of vibrational spectra of different types of As(Ge)nSm clusters and XPS measurements. It was found that the TPA is decreasing near the magic coordination numbers of 2.4 and 2.67. Relationship between TPA and nanophase separation in ternary glasses is discussed. (© 2011 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)

Structural transformations on the As_XS_100-X: X-ray photoelectron and electron microscopy investigations

“…Висока інфрачервона (ІЧ) пропускна спромож-ність або висока оптична нелінійність амо-рфних подвійних систем As-S роблять їх перспективним оптичним носієм для май-бутніх надшвидких фотонних систем. На-ші попередні Раман-дослідження бінарної системи As-S виявляють відмінності між структурами плівок As 2 S 3 та об'ємним склом у наномасштабному вимірі [4]. Ана-ліз показує, що це зумовлено головним чином фазовим поділом, тобто внеском молекул As 4 S 4 у пар під час термічного випаровування As 2 S 3 .…”

Elastic moduli, raman spectra and thermal conductivity of chalcogenide Ge-As-S glass system

“…Проблема структуроутворення некристалічних твердих тіл є фундаментальною в фізиці твердого тіла [1]. Обширна область склоутворення в потрійній системі Ge-As-S допускає неперервну зміну оптичних параметрів, що важливо при пошуку складів з суцільно ув'язаною матрицею структури для створення променевостійких елементів оптики потужних лазерів, нелінійної та інтегральної оптики видимого та ІЧ діапазону, оптичних покрить і плівкових поляризаторів [2][3][4]. Стримуючим фактором для практичного використання халькогенідних стекол в силовій оптиці є відсутність відомостей про взаємозв'язок їх структури та теплопровідності.…”

The room temperature visible photoluminescence in g- As₂S₃ and Ge-based glasses

“…The position of peak energies near 1.1-1.3 eV in measured PL spectra in this case were corresponding to so called "half-gap" rule [7][8][9]. During last decades for exiting PL and Raman spectra of ChGS a different laser lines were intensively used [2][3][4][10][11][12][13][14][15][16][17][18] and some deviation from above mentioned rule in PL spectra of some ChGS was found [11,12]. The low temperature PL spectrum of g-GeS 2 obtained with two different excitation energies at 2.7 and 2.81 eV each has two peaks with position of main peak energies at 2.20 and 2.28 eV correspondingly.…”

“…Wide band chalcogenide glassy semiconductors (ChGS) have been studied as host materials for different types of ions due to potential applications as optical amplifiers for the telecommunications window and nonlinear optical media for high-speed alloptical signal processing [1][2][3][4]. Nowadays optical and electronic properties of nanostructured ChGS have attracted much attention because they exhibit useful phenomena and have potentials for becoming novel media for future photonic devices [5].…”