On the alloying of aluminium to silicon in the fabrication of integrated circuits

Structural and morphological properties of contacts to a (111) orientation monosilicon substrate based on aluminum with a Ti and w – 10 % Ti barrier layer

“…Для изготовления образцов третьего типа [12] (система Al/Ti/SiO x /Si) использовали структуры кремниевые эпитаксиальные однослойные 76 10КДБ2,0/380ЭКЭС0,01(111), на которых выращивали слой термического оксида кремния в сухом кислороде ~0,2 мкм. Для образцов нанесение пленок титана и алюминия осуществляли на установке «Магна-2М» методом магнетронного распыления титановой и алюминиевой мишеней в среде аргона.…”

“…После отжига системы Al/Ti/SiO x /Si [12] на межфазной границе Al/Ti и подложки образуется промежуточный слой, состав которого с увеличением толщины исходного слоя титана от 0,03-0,10 до 0,13 мкм изменяется от Al Атомную долю элемента в приповерхностном слое определяли по формуле:…”

“…В системе Al/Ti/SiO x /n + (p + )-Si ориентация (111) зерен алюминия не наблюдается, поскольку SiO x действует как барьер для диффузии кремния из монокристаллической подложки через поры в слое Al 3 Ti [12,18].…”

“…Однако процессы твердофазного взаимодействия в системах Al/Ti/Si и Al/Ti/SiO x /Si изучены недостаточно, поскольку реальные структуры относятся к областям кремния, легированного бором или фосфором, и широко используются в кремниевой технологии. В результате диффузии бора и фосфора из кремния, а также диффузии кремния через слой титана происходит их взаимодействие, как со слоем титана, так и слоем алюминия с образованием различных по составу полицидов, оксидов и интерметаллидов вплоть до сложного состава Ti 7 Si 12 Al 5 [12,13,45]. Именно поэтому исследование твердофазного взаимодействия и особенностей такого взаимодействия -структурно-морфологических особенностей переходных слоев и воздействие на них температуры представляет особый интерес [1,4,22,24].…”

Recrystallization Behavior of Aluminum Layers in Al/Ti/Si and Al/Ti/SiOx/Si Structures

“…As a result of boron and phosphorus outdiffusion from silicon and silicon diffusion through the titanium underlayer, these constituents react with both the titanium underlayer and aluminum film to form various silicides, oxides, and intermetallics, in particular Ti 7 Si 12 Al 5 [14].…”