On the Theory of Optical Absorption Spectra of Disordered Semiconductors

A method is developed enabling one to take account of the influence of an arbitrary random-field probability functional of a disordered semiconductor on both the interband dielectric function E ( W ) and its external field induced change AE(w). The influence of a deformation of the Gaussian distribution upon E ( W ) and Ae(w) is considered. The corresponding plots are presented. The change of the exponential linear tail in ez(w) due to the random Franz-Keldysh effect is found to be small. The functions Ae,(w) and AeZ(w), however, are more sensitive to the particular form of the random-field probability functional.Eine Methode wird entmickelt, die es ermoglicht, den EinflitB eines beliebigen Wahrscheinlichkeitsfnnktionals des zufalligen Feldes eines ungeordneten Halbleiters auf den Interbandanteil der dielektrischen Funktion E ( W ) und ihre feldmodulierte h d e r u n g Ae(w) zu beriicksichtigen. Der EinfluB einer Deformation der GauBverteilung auf E ( W ) und AE(w) wird betrachtet. Die entsprechenden Darstellungen werden gezeigt. Die dnderung des durch den zuflllligen Franz-Keldysh-Effekt verursachten exponentiell linearen Auslaufers in E~( w ) ist klein. Die Funktionen Ael(o) und As,(to) sind jedoch empfindlicher bezuglich der speziellen Form des Wahrscheinlichkeitsfnnl~tionals des zufalligen Feldes.

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Influence of the Form of the Random‐Field Probability Functional upon the Interband Dielectric Function and Its Modulation by an External Field

Esser

Herzog

1975

“…Those might be, for example, impurity atoms deforming the host matrix. A smooth field is produced, for example, by a set of long sound waves with random phases and amplitudes [4,5]. However, the concept of such a field, introduced in [6], turned out to be too helpful [2, 7 to 171 to leave it to that case only.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Random field parameters and pseudopotential

Бонч-Бруевич¹,

Karaivanov

Proykova

1979

Binary correlation functions are considered of the random fields produced by various types of atomic disorder in amorphous, liquid, and glassy semiconductors, both homopolar and heteropolar. Conditions are established under which the field may be considered as smooth, Coulombic or short-ranged, depending upon the nature of the material. Parameters characterizing random fields in question are expressed explicitly in terms of directly observable material quantities with some numerical estimates included.Es werden binare Korrelationsfunktionen der statistischen Felder betrachtat, die durch verschiedene Arten atomarer Fehlordnung in sowohl homoopolaren als auch heteropolaren, amorphen, fliissigen und glasartigen Halbleitern erzeugt werden. Bedingungen werden aufgestellt, unter denen das Feld als glatt, vom Coulomb-Typ qder kurzreichweitig angesehen werden kann in Abhangigkeit von der Art des Materials. Parameter, die die erwithnten statistischen Felder charakterisieren, werden explizit mit direkt observablen MaterialgroBen ausgedriickt, und es werden einige numerische Abschatzungen angegeben.

On the theory of interband ε(ω) and External Electric Field Modulated Δε(ω) in Disordered Semiconductors

Esser

Kleinert

1975

The interband dielectric function E(O) and its external field induced change Ae(o) are calculated in the one-electron approximation for a semiconductor with fluctuating band edges presented by smooth random Gaussian fields. The influence of different random bending of the valence and conduction band edges on E ( W ) and Ae(o) is investigated. The corresponding plots are presented. A broadening of the line shape Ae(w) is obtained if the band bending becomes different. This broadening might be obtained in electromodulation experiments of crystals propagated by an internal acoustic noise flux. Application of the model to amorphous semiconductors is discussed.Der Interbandanteil der dielektrischen Funktion &(a) und ihre fe1dmoduliert)e Anderung Ae(w) werden in der Einelektronennaherung fur Halbleiter mit fluktuierenden Bandkanten, die durch glatte zufallige Felder mit Gauss-Statistik gegeben sind, berechnet. Der EinfluB der verschiedenen zufalligen Bandkantenverschiebung des Valenz-und Leitungsbandes auf E ( W ) und Ae(w) wird untersucht. Die entsprechenden Darstellungen fur F ( W ) und As(w) werden gezeigt. Eine Verbreiterung der Linienform Ae(w) wird fur den Fall unterschiedlicher Verschiebung der Kanten gefunden. Diese Verbreiterung konnte bei Elektromodulationsexperimenten an Kristallen, die ein intensiver akustischer Rauschstrom durchlauft, festgestellt werden. Es wird die Anwendung des Modells fur amorphe Halbleiter diskut,iert.