Optical and structural studies on spray deposited α-PbO thin films

Thangaraju, B.; Kaliannan, P.

doi:10.1088/0268-1242/15/6/309

Cited by 39 publications

(29 citation statements)

References 15 publications

(18 reference statements)

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Due to its low electrical conductivity and interesting semiconducting and photo conducting properties, lead oxide seems to be an * E-mail: arbalu757@gmail.com attractive material for applications in laser technology and imaging devices [10]. Other applications are in the field of lead-containing high temperature superconducting films [11,12] and high refractive index materials [13]. Lead monoxide films have also been used as an anodic material for lithium secondary batteries [14].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

“…Lead oxide thin films have been laid on by both physical and chemical deposition methods. Physical methods reported in the literature include pulsed laser-assisted deposition [17], dc and rf magnetron sputtering [18], while chemical methods include spray pyrolysis [13,14] and electro deposition [19]. Amongst the chemical methods used to fabricate lead oxide thin film, spray pyrolysis method is simple, inexpensive, and capable of producing films on large scale area for industrial applications.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

See 1 more Smart Citation

Role of substrate temperature on the growth mechanism and physical properties of spray deposited lead oxide thin films

Suganya¹,

Balu²,

Usharani³

2014

Materials Science-Poland

View full text Add to dashboard Cite

Thin films of lead oxide were synthesized by cost effective spray pyrolysis technique at different substrate temperatures on glass substrates. Effect of substrate temperature on the growth mechanism and physical properties of the films was investigated. All the films were polycrystalline in nature with tetragonal structure corresponding to α-PbO. The films coated at 225°C and 275°C were (1 0 1) oriented, while the films deposited at 325°C and 375°C were (0 0 2) oriented. Above 375°C, the pure tetragonal nature deteriorated and the peaks corresponding to orthorhombic phase were observed. The band gap value was found to be in the range of 2.3 to 2.62 eV. All the films had a resistivity of the order of 10 3 ohm-cm. A minimum resistivity of 0.0191 × 10 3 ohm-cm was obtained for the film coated at 325°C. The activation energy increased with increase in substrate temperature.

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Role of substrate temperature on the growth mechanism and physical properties of spray deposited lead oxide thin films

Suganya¹,

Balu²,

Usharani³

2014

Materials Science-Poland

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…For α-PbO system in which the orbital overlap between layers controls the size of the band gap, it results in a compensation effect [5]. In particular, for the lattice parameters optimized with GGA (a 0 =4.06Å and c 0 =5.51Å [5]), the band gap is only slightly underestimated, as 1.8 eV to be compared with the experimental value of 1.9 eV [13] (for this compound, good agreement of the size of the band gap estimated theoretically with that found experimentally has been pointed out in earlier work as well [11]). Application of the experimental value of the lattice parameters causes the band gap to shrink by 0.22 eV [5].…”

Section: Methodsmentioning

confidence: 91%

Origin of n- and p-type conductivity in undoped α-PbO: role of defects

Berashevich

Rowlands

Reznik

2013

J. Phys.: Condens. Matter

View full text Add to dashboard Cite

First principles calculations (GGA) have been applied to study the crystallographic defects in α-PbO in order to understand an origin of nand p-type conductivity in otherwise undoped α-PbO. It was found that deposition in oxygen-deficient environment to be defined in our simulations by the Pb-rich/O-poor limit stimulates a formation of O vacancies and Pb interstitials both characterized by quite low formation energies ∼ 1.0 eV. The O vacancy, being occupied by two electrons, shifts the a balance of electrons and holes between these two defects to an excess of electrons (four electrons against two holes) that causes n-type doping. For the Pb-poor/O-rich limit, an excess of oxygen triggers the formation of the O interstitials characterized by such a low formation energy that spontaneous appearance of this defect is predicted. It is shown that the concentration of O interstitials is able to reach an extreme magnitude equal to number of the possible defect sites (∼ 10 22 cm −3 ). The localized state formed by the O interstitial is occupied by two holes and because there are no other defects in reasonable concentration to balance the hole redundancy, p-type doping is induced.

show abstract

“…Таким же методом в [66] показано, что происхождение носителей в нелегированном материале обусловлено кислородными вакансиями, которые формируют донор-ные состояния в резонансной зоне проводимости. Шири-на непрямой запрещенной зоны здесь оценена в 1.8 eV, в хорошем согласии с экспериментом 1.9 ± 0.1 eV [67]. Согласно [62], β-PbO имеет непрямую запрещенную зону шириной 2.57 eV.…”

Section: Introductionunclassified

Исследование Механических, Электронных И Колебательных Свойств Оксидов Свинца Из Первых Принципов

Журавлев¹,

Корабельников²

2017

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

В рамках теории функционала электронной плотности с градиентным обменно-корреляционным функци-оналом в форме Perdew-Becke-Ernzerhof и его гибридной версией с вкладом обмена по Хартри−Фоку 25% в базисе локализованных атомных орбиталей проведено первопринципное исследование кристаллического строения, химической связи, упругих и механических свойств, зонной структуры и плотности электронных состояний, а также нормальных длинноволновых колебаний девяти фазовых модификаций монооксида, диоксида и тетраоксида свинца в условиях нормального и внешнего давления. Для описания поведения физических параметров использовалось холодное 4-х и 3-х параметрическое уравнение состояния. Парамет-ры кристаллической структуры находятся в удовлетворительном согласии с экспериментальными данными, а упругие постоянные указывают на ее механическую стабильность и анизотропию упругих свойств. Модули упругости, сдвига, Юнга, твердость, акустические скорости и температура Дебая существенно различаются для диоксида с одной стороны и монооксида и тетрооксида с другой. Различия в электронных свойствах объясняются характером гибридизации верхних заполненных и нижних незанятых энергетических зон, проявляющимся в плотности состояний. В монооксиде с ростом давления ширина непрямой запрещенной зоны уменьшается со скоростью 0.16 eV/GPa, а прямой увеличивается со скоростью 0.13 eV/GPa. Для идентификации кристаллических фаз вычислены частоты и интенсивности активных в ИК спектрах и спектрах комбинационного рассеяния длинноволновых мод. DOI: 10.21883/FTT.2017.11.45074.021 ВведениеРавновесные твердые фазы конденсированной систе-мы Pb−O включают в себя множество оксидных ком-позиций, среди которых наибольшее распространение получили монооксид PbO, диоксид PbO 2 и тетраоксид Pb 3 O 4 . Эти оксиды представляют значительный интерес, поскольку демонстрируют фотоактивность в широком диапазоне длин волн электромагнитных излучений, ис-пользуются в производстве красок, керамики, силикат-ных стекол, а также пористых наклеенных электро-дов в свинцово-кислотных аккумуляторах. Поликристал-лический оксид свинца является одним из наиболее перспективных материалов для использования в ка-честве фоторезисторов, преобразователя и детекторов рентгеновского излучения [1], компонентов защиты от гамма-излучения [2], а также различных стекол [3,4]. Ди-оксид свинца широко применяется в электрохимической промышленности и рассматривается как превосходный электрод [5] благодаря его низкой цене по сравне-нию с благородными металлами, высокой химической стабильности и каталитической активности в процессе выделения кислорода. Тетраоксид традиционно чаще всего использовался в качестве пигмента для красок по металлу. В настоящее время он в основном применяется для производства свинцовых стекол, особенно хрусталя и глазурей.Помимо объемных кристаллов широко используются наночастицы [29][30][31][32]. Так, моно-оксид свинца существует в двух полиморфных формах: красный, тетрагональной модификации (глет, α-PbО), стабильный при комнатной температуре, и желтый, ромбической модификации (массик...

show abstract

Optical and structural studies on spray deposited α-PbO thin films

Cited by 39 publications

References 15 publications

Role of substrate temperature on the growth mechanism and physical properties of spray deposited lead oxide thin films

Role of substrate temperature on the growth mechanism and physical properties of spray deposited lead oxide thin films

Origin of n- and p-type conductivity in undoped α-PbO: role of defects

Исследование Механических, Электронных И Колебательных Свойств Оксидов Свинца Из Первых Принципов

Contact Info

Product

Resources

About