2016
DOI: 10.1016/j.optcom.2016.02.053
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Perfect tunneling of obliquely-incident wave through a structure with a double-negative layer

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
1

Citation Types

0
2
0
2

Year Published

2017
2017
2021
2021

Publication Types

Select...
7

Relationship

0
7

Authors

Journals

citations
Cited by 7 publications
(4 citation statements)
references
References 25 publications
0
2
0
2
Order By: Relevance
“…The transfer matrix of the symmetric trilayer structure under study is the product of the respective transfer matrices for the individual layers, G = N 1 N 2 N 1 . Using the elements of matrix G, both the amplitude reflection coefficient (8) and the amplitude transmission coefficient…”
Section: Conditions Of Perfect Tunnelingmentioning
confidence: 99%
See 1 more Smart Citation
“…The transfer matrix of the symmetric trilayer structure under study is the product of the respective transfer matrices for the individual layers, G = N 1 N 2 N 1 . Using the elements of matrix G, both the amplitude reflection coefficient (8) and the amplitude transmission coefficient…”
Section: Conditions Of Perfect Tunnelingmentioning
confidence: 99%
“…This phenomenon is known as the complete (or perfect) electromagnetic tunneling [3][4][5]. Typically, structures for the perfect tunneling are composed of alternating layers of ENG and MNG media, or DNG and DPS (doublepositive) media [3][4][5][6][7][8], although many other combinations have been proposed in recent years [9][10][11][12][13][14][15][16][17]. One of the simplest combinations of layers is a symmetrical trilayer, for which the conditions of total transmission can be easily obtained analytically using the transfer matrix method [6,7,13,14].…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…Сравнительно недавно было обнаружено, что прохождение электромагнитного излучения через некоторые слоистые структуры, содержащие слои с отрицательными вещественными частями диэлектрической и/или магнитной проницаемости (ДП, МП), может быть полным, т. е. безотражательным. Этот эффект назван идеальным туннелированием (ИТ), он имеет резонансный характер, что выражается в резком возрастании при выполнении определенных условий амплитуд волновых полей на границах раздела сред [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12][13]. Для наблюдения ИТ предложены разнообразные структуры со слоями, материалы которых известны как SNG (single-negative) среды.…”
Section: Introductionunclassified
“…Здесь же показано, что подобные эффекты могут на-блюдаться в многослойных структурах с чередованием DPS-и DNG-слоев. К настоящему времени предложены разнообразные плоскослоистые структуры, содержащие различные комбинации SNG-, DPS-или DNG-сред, в которых может наблюдаться ИТ при условии отсутствия потерь [2,[9][10][11][12][13][14][15][16][17].…”
unclassified