Рассмотрено туннелирование нормально падающей электромагнитной волны через двуслойную структуру, состоящую из слоя феррита и прилегающего к нему слоя с отрицательной диэлектрической проницаемостью. Слой феррита поперечно намагничен внешним магнитным полем, отвечающим области отрицательных значений эффективной магнитной проницаемости. Показано, что можно в широких пределах управлять пропускательной способностью структуры за счет изменения внешнего магнитного поля. В частности, можно добиться туннелирования, близкого к идеальному, т. е. реализовать безотражательное прохождение падающего излучения. DOI: 10.21883/JTF.2017.12.45208.2199 Введение Среди современных искусственных метаматериалов имеются среды с различными комбинациями знаков действительных частей диэлектрической и магнитной проницаемостей (ДП и МП) ε и µ. Наиболее пер-спективными для приложений считаются метаматериалы с отрицательными вещественными частями ДП Re ε и МП Re µ. Первоначально они были известны под названием " левых сред" или " сред с отрицательным показателем преломления" [1,2], однако наиболее точное их название -DNG (double-negative) среды. Для " пра-вых" или DPS (double-positive)-сред Re ε > 0 и Re µ > 0. Если на частотных зависимостях материальных пара-метров наблюдаются области с отрицательным значе-нием лишь одной из величин Re ε или Re µ, то этоПрактическое применение SNG-сред ограничено их непрозрачностью для электромагнитного излучения, по-скольку в пределе пренебрежимо малых потерь электро-магнитная волна в SNG-среде является эванесцентной (нераспространяющейся) с равной нулю интенсивно-стью. Однако встречные эванесцентные волны переносят энергию через SNG-слой конечной толщины благодаря эффекту электромагнитного туннелирования [3,4]. Про-пускательная способность одиночных SNG-слоев обычно невелика и быстро уменьшается с ростом толщины слоя. Многослойные структуры с контактирующими SNG-слоями при выполнении определенных " условий согласования" в случае отсутствия потерь могут обес-печить полное, т. е. безотражательное прохождение из-лучения. В этом случае говорят об " идеальном" тун-нелировании (ИТ) [2,[5][6][7][8]. Идеальное туннелирование можно наблюдать для волн любой физической природы в структурах без потерь, поддерживающих эванесцентные волны [7]. Эффект ИТ имеет резонансный характер и связан с возбуждением поверхностных волн на границах раздела сред [5,6].Впервые возможность ИТ структур с SNG-слоями была показана в работе [5] для случая наклонно-го падения плоской волны из вакуума на структуру, содержащую чередующиеся слои MNG-и ENG-сред. Здесь же показано, что подобные эффекты могут на-блюдаться в многослойных структурах с чередованием DPS-и DNG-слоев. К настоящему времени предложены разнообразные плоскослоистые структуры, содержащие различные комбинации SNG-, DPS-или DNG-сред, в которых может наблюдаться ИТ при условии отсутствия потерь [2,[9][10][11][12][13][14][15][16][17].Простейшей структурой для наблюдения ИТ явля-ется двуслойная структура ENG−MNG. Перспектив-ным представляется использование магнитоуправляемо-го MNG-с...