Туннелирование СВЧ Излучения Через Трехслойные Структуры, Содержащие Ферритовый Слой

Abstract

Рассмотрено туннелирование СВЧ излучения через симметричную трехслойную структуру, в которой центральный слой феррита окружен двумя слоями материала с отрицательной диэлектрической проницаемостью. Для случая нормального падения проанализированы условия " идеального" туннелирования, т. е. безотражательного прохождения излучения через структуру. Показано, что пропускательной способностью структуры можно управлять с помощью внешнего магнитного поля, намагничивающего феррит. В частотной области, соответствующей отрицательным значениям эффективной магнитной проницаемости феррита, возможно наличие широкой (порядка нескольких гигагерц) полосы пропускания, в которой туннелирование близко к идеальному.

Интерференция Встречных Волн В Планарной Мелкослоистой Структуре Графен--Диэлектрик"

“…Наряду с падающими имеются потоки энергии S j двух волн, уходящих от поверхностей структуры. Величины S j могут быть представлены в виде суммы трех слагаемых -потоков отраженной и прошедшей волн и их интерференционного потока S jint [7,8,12]:…”

“…Наличие интерференционных слагаемых в (4) обеспечивает возможность управления потоками S j уходящих от слоя волн путем изменения амплитуд и/или начальных фаз падающих волн [11,12]. Далее будем обсуждать только фазовое управление за счет изменения величины δ, полагая, что A 1 = A 2 = A, так как именно в этом случае данный интерференционный эффект максимален.…”

“…были поставлены эксперименты по наблюдению ИВВ в тонких металлических пленках [7]. В последующих работах по ИВВ особое внимание уделялось прикладным вопросам модуляции интенсивности и поглощения [8][9][10][11][12][13][14][15][16][17][18]. С этой целью исследовались тонкие слои металлов [17,18], прозрачные диэлектрики [9], а также поглощающий диэлектрик (кварц) в области сильной частотной дисперсии [10].…”

“…поглощаемой слоем мощности к суммарной мощности падающих волн. В оптимальном случае A 1 = A 2 выражение для Q имеет вид[12][13][14] …”