Phase equilibria in Tl2Se–In2Se3–GeSe2 system at 520 K

Abstract

За результатами рентгенофазового аналізу побудовано ізотермічний переріз діаграми стану квазі-потрійної системи Tl 2 Se-In 2 Se 3 -GeSe 2 при 520 K. Підтверджено існування п'яти тернарних та двох тетрарних сполук. Нових сполук не знайдено. Система характеризується утворенням твердих розчинів незначної протяжності на основі вихідних бінарних сполук. Найбільшу область гомогенності має твердий розчин на основі тернарної сполуки TlInSe 2 (до 25 мол. % GeSе 2 ) вздовж квазібінарного перерізу TlInSе 2 -GeSе 2 . Протяжність решти твердих розчинів не перевищує 1 мол. % при 520 K.Ключові слова: квазіпотрійна система, ізотермічний переріз, фазові рівноваги, кристалічна структура.

Phase diagram of the TlGaS2–CdS system and optical properties of a TlGaS2:Cd2+ crystal

“…TlGaS 2 is formed at the equimolar ratio of the components in the Tl 2 S-Ga 2 S 3 system and melts congruently at 1165 K [17,18]. Its most stable modifications are the monoclinic (space group C2/c, a = 1.0299, b = 1.0284, с = 1.5175 nm, β = 99.7457°) and the tetragonal ones (S.G. I4/mcm, а = 0.7290, с = 2.9900 nm) [19,20].…”