Near band edge emission of ZnS,Sel -, epitaxial layers on (100) GaP with ZnS mole fraction ranging from 0.41 to 0.91 is studied between 4.2 and 300 K under pulsed Nz laser excitation. The peak energy of the near band edge emission varies with composition reflecting the variation of bandgap energy of ZnS,Sel -, . The peak energy as a function of temperature is found to obey the Varshni relation for all samples with various compositions. Studies of the time resolved spectra, excitation intensity dependence, and thermal quenching properties show that this band originates from the free-tobound transition. This is confirmed by the analysis of its line shape of the high energy tail and the temperature dependence of its FWHM.
Die bandkantennahe Emission von epitaktischen ZnS,Sel -,-Schichten auf (100)-GaP mit einemZnS-Molanteil von 0,41 bis 0,91 wird zwischen 4,2 und 300 K unter gepulster N,-Laseranregung untersucht. Das Maximum der bandkantennahen Emission hangt von der Zusammensetzung ab und spiegelt die Anderung der Bandgap-Energie des ZnS,Sel -, wider. Die Energie des Maximums befolgt als Funktion der Temperatur in allen untersuchten Proben unterschiedlicher Zusammensetzung die Varshni-Beziehung. Untersuchunegn der zeitaufgelosten Spektren, der Abhangigkeit von der Anregungsintensitat und der thermischen Tilgungseigenschaft zeigen, daB diese Bande von ubergangen: frei-gebunden herruhrt. Dies wird durch die AnalyEe der Linienform des 11oc.henergetischen Auslriufers und der Temperatnrabhangigkeit der FWHM bestatigt.
