2020
DOI: 10.1002/pssa.201901009
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Progress in Sputter Growth of β‐Ga2O3 by Applying Pulsed‐Mode Operation

Abstract: β‐Ga2O3 thin films are deposited by pulsed radio‐frequency (RF) magnetron sputtering on c‐sapphire substrates, using a stoichiometric Ga2O3 target and a constant gas flux of an argon–oxygen mixture. Pulsed sputtering offers a way to overcome the restrictions of conventional sputtering. The parameters RF power and pulse duty cycle (PDC) are varied systematically to optimize the synthesis of Ga2O3 thin films. Subsequently, the resulting as‐deposited (AD) Ga2O3 layers are analyzed in terms of structural and optic… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2020
2020
2024
2024

Publication Types

Select...
5

Relationship

0
5

Authors

Journals

citations
Cited by 6 publications
(1 citation statement)
references
References 76 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…Показано, что пленки оксида галлия, нанесенные с помощью RMFS при температуре < 400 • C, находятся в аморфном состоянии [8]. Отжиг полученных пленок при температуре 900 • C и выше приводит к формированию поликристаллической β-Ga 2 O 3 [11,12].…”
Section: Introductionunclassified
“…Показано, что пленки оксида галлия, нанесенные с помощью RMFS при температуре < 400 • C, находятся в аморфном состоянии [8]. Отжиг полученных пленок при температуре 900 • C и выше приводит к формированию поликристаллической β-Ga 2 O 3 [11,12].…”
Section: Introductionunclassified