Propriedades estruturais, ópticas e elétricas do sistema de multicamadas (ZnO/Nb)3/ZnO e de co-deposição ZnO-Nb

Abstract

Os óxidos condutores transparentes (TCOs) são muito pesquisados devido a sua grande aplicabilidade em células solares e eletrônica invisível, na qual filmes finos de ZnO tem sido ótimos candidatos para estes sistemas. No entanto, não há estudos de sistemas de multicamadas ou co-deposição ZnO-metal para desenvolver as propriedades ópticas e elétricas dos TCOs. Neste trabalho, filmes finos de multicamadas ZnO/Nb/ZnO/Nb/ZnO/Nb/ZnO e um sistema de co-deposição foram fabricados por sputtering em função da espessura de Nb. As propriedades de transmissão e absorção óptica foram analisadas revelando transparência superior a 80% e 50% para o dispositivo com menor e maior espessura de Nb respectivamente. As propriedades elétricas das amostras apresentaram comportamento de condução não ôhmica em baixas tensões e ôhmica para altas tensões. O ciclo histerético I-V apresentou comportamento antiferroelétrico, na qual pode ser observado um efeito de comutação resistiva. Os resultados mostram que estes dispositivos apresentam uma nova classe de memórias, as memórias antiferroelétricas de acesso aleatório (ARAM).