Resistive memories are considered the most promising candidates for the next generation of non-volatile memory; however, attention has so far been limited to rewritable memory features for applications in resistive random access memories (RRAM). In this article, we provide a new insight into the applicability of resistive memories. The characteristics of non-rewritable resistive memories (NRRM) were investigated. Devices with Pt/ZnO/ITO architecture were prepared using magnetron sputtering, upon which various bipolar and unipolar resistive switching tests were performed. The results showed excellent distinction between the high resistance state (HRS) and low resistance state (LRS), with RHRS/RLRS = 5.2 × 1011 for the Pt/ZnO/ITO device with deposition time of 1 h. All samples were stable for more than 104 s, indicating that the devices have excellent applicability in NRRMs.

ZnO multilayers and pure ZnO thin films were deposited onto glass using a sputtering system, and were subsequently characterized by X-ray diffractometry and UV-Vis spectroscopy. The resistivity of the samples was measured by the four-probe method. All films exhibited preferential orientation along the c-axis and the peak position (002) shifted to a lower position, indicating a reduction in the unit cell size. The pure ZnO thin film exhibited a maximum transmittance of approximately 98%, which decreased as the Nb layer increased, thus increasing the absorbance of the multilayer thin films. The energy band gap decreased as the thickness of the metal increased which higher value was 3.18 eV. The resistivity had a minimum of 0.1 × 10-4 Ω m.

No abstract

Os óxidos condutores transparentes (TCOs) são muito pesquisados devido a sua grande aplicabilidade em células solares e eletrônica invisível, na qual filmes finos de ZnO tem sido ótimos candidatos para estes sistemas. No entanto, não há estudos de sistemas de multicamadas ou co-deposição ZnO-metal para desenvolver as propriedades ópticas e elétricas dos TCOs. Neste trabalho, filmes finos de multicamadas ZnO/Nb/ZnO/Nb/ZnO/Nb/ZnO e um sistema de co-deposição foram fabricados por sputtering em função da espessura de Nb. As propriedades de transmissão e absorção óptica foram analisadas revelando transparência superior a 80% e 50% para o dispositivo com menor e maior espessura de Nb respectivamente. As propriedades elétricas das amostras apresentaram comportamento de condução não ôhmica em baixas tensões e ôhmica para altas tensões. O ciclo histerético I-V apresentou comportamento antiferroelétrico, na qual pode ser observado um efeito de comutação resistiva.  Os resultados mostram que estes dispositivos apresentam uma nova classe de memórias, as memórias antiferroelétricas de acesso aleatório (ARAM).

Este trabalho apresenta uma avaliação dos potenciais LDA, GGA-PBEsol, BJ, mBJ original, mBJ P-presente e mBJ P-semicondutor em cálculos dos band gaps dos semicondutores ZnO, GaN, TiO2 e SnO2 utilizando o formalismo da Teoria Funcional da Densidade (DFT). O objetivo de utilizar diferentes potenciais é avaliar qual destes descreve em acordo com o experimental tanto os valores quanto a natureza dos band gaps dos semicondutores. Nos cálculos das estruturas eletrônicas (estrutura de bandas), estes potenciais descreveram em pleno acordo com os experimentais a natureza direta →  dos band gaps destes compostos. No entanto, o potencial mBJ P-semicondutor foi o único que descreveu em concordância com o experimental os valores dos gaps. Os valores calculados dos gaps com o potencial mBJ P-semicondutores foram de 3,37 eV (ZnO), 3,48 eV (GaN), 3,06 eV (TiO2) e 3,80 eV (SnO2), os quais concordam com valores experimentais.