Quantum Hall effect in n-InGaAs/InAlAs metamorphic nanoheterostructures with high InAs content

Gudina, S. V.; Arapov, Yu. G.; Savelyev, A. P.; Neverov, V. N.; Подгорных, С. М.; Shelushinina, N. G.; Yakunin, M. V.; Rogacki, K.; Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.

doi:10.1016/j.jmmm.2016.12.111

Cited by 4 publications

(1 citation statement)

References 13 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Значения κ при T > 2 K, определенные в настоящем исследовании, хорошо согласуются со значениями, получаемыми на системах с крупномасштабным случайным потенциалом [6,7,11,15,28,29,33,35,36,[40][41][42][43][44]. В частности, во множестве работ для наиболее изученной структуры GaAs/AlGaAs регулярно наблюдаются κ = 0.5−0.75.…”

Section: влияние крупномасштабного случайного потенциалаunclassified

Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs

Гудина¹,

Арапов²,

Ильченко³

et al. 2018

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Проведено исследование продольного ρxx и холловского ρxy сопротивлений в области квантовых фазовых переходов в режиме квантового эффекта Холла в магнитных полях до 12 Тл при температурах T = 0.4−30 K в двумерных электронных системах n-In 0.9 Ga 0.1 Аs/In 0.81 Al 0.19 As. Обнаружено неуниверсальное скейлинговое поведение температурной зависимости ширины пиков сопротивления ρxx , связанное с влиянием крупномасштабного случайного потенциала и смешиванием уровней Ландау с разными направлениями спина.

show abstract

Section: влияние крупномасштабного случайного потенциалаunclassified

Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs

Гудина¹,

Арапов²,

Ильченко³

et al. 2018

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

On the issue of universality of critical exponents in the quantum Hall effect mode

Arapov

Gudina

Deryushkina

et al. 2019

Low Temperature Physics

View full text Add to dashboard Cite

A critical analysis of the work performed within the framework of the two-parameter scaling concept is carried out, and a brief review of modern percolation models for the quantum plateau–plateau phase transition in the quantum Hall effect mode is presented. The work was motivated by a discussion of theoretical models for describing the effect of overlapping and mixing the densities of localized and delocalized states at Landau levels on the universality of critical exponents.

show abstract

Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures

et al. 2018

View full text Add to dashboard Cite

Quantum Hall effect in n-InGaAs/InAlAs metamorphic nanoheterostructures with high InAs content

Cited by 4 publications

References 13 publications

Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs

Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs

On the issue of universality of critical exponents in the quantum Hall effect mode

Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures

Contact Info

Product

Resources

About