“…Para la configuración de diodo en paralelo se ha obtenido una eficiencia de conversión RF-DC mayor a 54% a partir de 0 dBm [62,79,95,102,108], mientras que para el puente de diodos se han obtenido valores superiores a 42% a partir de 5 dBm [63,80,109,110], ambas configuraciones presentaron poca desviación estándar. Con respecto al rectificador de diodo en serie [30,45,51,59,61,64,66,67,70,71,77,93,100,111] y doblador de voltaje [16, 22, 23, 25-28, 34, 39, 45, 57, 58, 68, 69, 73, 98, 101, 110, 112], presentaron una mayor dispersión en la eficiencia obtenida pero tuvieron los máximos valores de eficiencia de conversión RF-DC. Con la configuración de diodo en serie se ha obtenido una eficiencia de 42% a 3 dBm mediante la cosecha de GSM a 900 MHz y de UMTS a la vez, e implementando un acoplador de impedancia para cuatro bandas [30].…”