Reduced narrow-width effects in a scaled local oxidation of silicon process

Abstract

The reduction of narrow-width effects in VLSI transistors is of great importance if small-geometry devices are to be of real use in advanced circuits. These effects are caused by boron encroaching into the transistor channel from underneath the field isolation oxide. In this paper we describe the results of experiments to reduce this encroachment by the use of high-pressure oxidation. We show that the substitution of this process into a VLSI process flow, for the field oxidation step, allows the channel-stop implant dose to be significantly reduced (50%) without degradation of interdevice isolation.La reduction des effets de largeur reduite dans les transistors VLSI a une grande importance pour l'utilisation des dispositifs de faible gkomttric dans les circuits avances. Ces effets sont dus a un debordement sur le canal du transistor de borc provenant d'au-dessous de l'oxyde isolant le champ. Nous dkcrivons dans cet article les resultats d'exgriences effectukes en vue de reduire cet empiktement en utilisant I'oxydation a haute pression. Nous montrons que la substitution d'une telle etape pour I'oxydation du champ, dans le processus de fabrication VLSI, permet une reduction importante (50%) du blocage du canal par implantation, sans degradation de I'isolation entre les tlkments de circuits.[Traduit par le journal]