Reflectivity kinetics of saturable absorbers for laser mirrors

Рубцова, Н. Н.; Borisov, G. M.; Goldort, V. G.; Kovalyov, A. A.; Ledovskikh, D. V.

doi:10.1088/1054-660x/26/2/025001

Cited by 7 publications

(5 citation statements)

References 17 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…The recovery time for both shutters proved comparable at about 2 ps. This value, corresponding to electron-hole recombination, is shorter than value of about 8 ps for previously developed SESAMs with nanostructured barriers [15], and is remarkably shorter than the recovery time of several hundred picoseconds for quantum wells with thick barriers [16]. The need for further shortening of the recovery time is not evident.…”

Section: Discussionmentioning

confidence: 58%

Optical shutters for a compact femtosecond Yb:KYW laser

et al. 2019

View full text Add to dashboard Cite

A stable passive mode-locking regime for a Yb 3+ :KY(WO 4 ) 2 laser with optical pumping by a continuous diode laser was obtained using two types of optical shutter with a saturable absorber based on coupled GaAs/In 0.25 Ga 0.75 As/GaAs quantum wells. The shutters differed in their reflecting part: the first type was a semiconductor mirror and the second type was a dielectric one. The typical parameters of the mode-locking regime were as follows: a pulse duration of about 200 fs for both types of shutter, an average power of 2.54 W for the allsemiconductor shutter (SESAM) and 0.92 W for the dielectric mirror with a saturable absorber (DSAM). The efficiency relative to the incident pump power was 57% for the SESAM and 19% for the DSAM. The maximum pulse repetition rate was 982 MHz. The measured recovery time was about 2 ps for both saturable absorbers. The mirror damage threshold estimate for the SESAM was at least 8.87 mJ cm −2 .

show abstract

Section: Discussionmentioning

confidence: 58%

Optical shutters for a compact femtosecond Yb:KYW laser

et al. 2019

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Двухфотонное поглощение необходимо учитывать при исследовании элементов зеркал с насыщающимся поглощением [1][2][3][4][5] -для гетероструктур, включающих слои квантовых ям, выращенных поверх подложки арсенида галлия. В данной работе исследована кинетика пропускания подложки GaAs ориентации (001) толщиной 400 микрон в области прозрачности.…”

Section: Doi 1034077/semicond2019-156unclassified

Двухфотонное Поглощение В Экспериментах Типа «накачказондированиие» / Борисов Г.М., Ледовских Д.В., Рубцова Н.Н

2019

Тезисы Докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «полупроводники-2019»

View full text Add to dashboard Cite

Двухфотонное поглощение необходимо учитывать при исследовании элементов зеркал с насыщающимся поглощением [1-5] – для гетероструктур, включающих слои квантовых ям, выращенных поверх подложки арсенида галлия. В данной работе исследована кинетика пропускания подложки GaAs ориентации (001) толщиной 400 микрон в области прозрачности. Экспериментальные данные по регистрации пробного излучения, проходящего через образец под углом Брюстера, получены при использовании излучения фемтосекундного лазера Yb3+:KY(WO4)2. Использованы пиковые интенсивности излучения накачки от 0,2 до 2,8 ГВт/см2 , лазер работал на центральной длине волны излучения 1035 нм, длительность импульсов 130 фс. Интенсивность пробного излучения не превышала 560 Вт/см2 . Сигнал изменения в пропускании образца регистрировался на частоте, равной суммарной частоте прерывания пучков насыщающего и пробного излучений [6]. Продемонстрировано кинетические кривые изменения пропускания пробного излучения при разных интенсивностях накачки. Небольшие сдвиги максимумов кривых объясняются смещением пучков при установке нейтральных фильтров. При построении модели нелинейного пропускания пробного излучения через образец учитывались процессы вырожденного двухфотонного и трёхфотонного поглощения, а также нелинейной рефракции в образце. Все эти процессы безынерционны. Из численных решений для параметров, близких к экспериментальным условиям, видно, что присутствие излучения накачки приводит к ослаблению пробного излучения, существенно большему, чем без накачки. Для указанных диапазонов интенсивности накачки процесс трёхфотонного поглощения хотя и заметен, но составляет (в зависимости от толщины образца и интенсивностей пучков накачки и пробного излучений) не более 20% от общего сигнала. В расчётах использованы уравнения и величина коэффициента двухфотонного поглощения β=23 см/ГВт из [7], а также значение коэффициента трёхфотонного поглощения γ=0,9 см3 /ГВт2 , экстраполированное к области 1035 нм из [8].

show abstract

“…The kinetics of SESAM with nano-structured barriers was studied in [28] by applying the pump-probe technique with double modulation. The SESAM prepared for each laser could be different in the barrier thickness, in their structure and in the number of quantum wells.…”

Section: Sesams With Superlattice Barriersmentioning

confidence: 99%