Oberflachenbeurteilung von bearbeiteten SiliziumscheibenZur Benrteilung der OberflHchen von unterschiedlich boarbeitcten Siliziumeinkristallscheibeii wurde die Methode der Reflexionsbeugung schneller Elektroricri (RHEED) am Elektronenmikroskop und darieben die rontgenographische Doppelkristallspektrometrie angewendet. Auf Grurid der sich ergebenden Beugimgsbilder und der erhaltenen Rockingknrven souie der ergiinzenden Oberfliichenabbildung uber Replikatechnik am Elcktronenmikroskop kann eine Bourteilung der Silizium-Scheiben hinsichtlich der Storungcn in der Oberflachenzone erfolgen.For the judgement of various polished surfaces of silicon single disks wa,s used the method of reflexion high energy elect,ron diffraction (RHEED) in the electron microscope and on the other hand the X-ray-method of double crystal spectromet,ry. Because of the obtained diffraction pictures and the obtained rocking curves and because of the completing figures of surfaces with the replica method on the electron microscope, i t is possible to estimate the silicon single disks relating t o the mistakes in the surface range.