2008 26th International Conference on Microelectronics 2008
DOI: 10.1109/icmel.2008.4559250
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

RF power LDMOSFET characterization and modeling for reliability issues: DC and RF performances

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1
1
1

Citation Types

0
2
0
1

Year Published

2009
2009
2019
2019

Publication Types

Select...
2
1
1

Relationship

0
4

Authors

Journals

citations
Cited by 4 publications
(3 citation statements)
references
References 3 publications
0
2
0
1
Order By: Relevance
“…La Tabla 1 resume los resultados de las medidas mostrando una eficiencia de drenaje de las dos etapas del 40 % para la frecuencia más alta. En el presente trabajo, para anticipar los resultados de las medidas durante la fase de diseño, se modificaron los modelos ROOT y MET electrotérmico [11] para el dispositivo de prueba antes señalado. La manera de modificarlos a través de la técnica de los voltajes efectivos fue mencionada en [9].…”
Section: Resultsunclassified
“…La Tabla 1 resume los resultados de las medidas mostrando una eficiencia de drenaje de las dos etapas del 40 % para la frecuencia más alta. En el presente trabajo, para anticipar los resultados de las medidas durante la fase de diseño, se modificaron los modelos ROOT y MET electrotérmico [11] para el dispositivo de prueba antes señalado. La manera de modificarlos a través de la técnica de los voltajes efectivos fue mencionada en [9].…”
Section: Resultsunclassified
“…The extraction of current and capacitance parameters of the model is performed from I-V and C-V measurements data respectively, using an optimization program implemented in ICCAP to fit simulations with measurements. Small-signal simulations are performed to validate the model for small signal operation (Chetibi-Riah et al, 2008). Fig.…”
Section: Extraction Of Current and Capacitances Parameters Of The Modelmentioning
confidence: 99%
“…6. The model includes new parasitic elements, series inductances, for modelling parasitic effects of the transistor topology (Chetibi-Riah et al, 2008). Self-heating effect is treated with a special circuit as shown in Fig.…”
Section: Model Extractionmentioning
confidence: 99%