RHEED Studies of MBE‐grown Aluminium Layers on {111}‐Oriented Silicon Substrates

Abstract

Thin Al-layers were prepared by Knudsen-type evaporation of A1 onto { 11 1) Si in a custom built UHV-reactor. Epitaxial growth was found on clean substrate surfaces with (7 x 7) reconstruction. In situ RHEED provides the epitaxial relationshipThe epitaxial films show a twelve-fold symmetry axis according to the combination of the 4-fold and 3-fold symmetry of the {OOl} deposit plane and of the substrate surface, respectively.In einem Eigenbau-UHV-Reaktor wurden mittels Knudsenverdampfung diinne Al-Schichten auf { 1 1 1)-orientiertem Silicium abgeschieden. Auf sauberen Substratoberflachen (7 x 7-Rekonstruktion) erfolgt das Wachstum der Schichten epitaktisch. In situ RHEED-Untersuchungen belegen die EpitaxiebeziehungDie epitaktischen Schichten zeigen entsprechend der Kombination der Flachensymmetrien von Substrat (3-zahlig) und Deposit (4-zahlig) eine zwolfzahlige makroskopische Symmetrie.