Room‐Temperature Ni Interaction with Deformation‐Induced Defects in Si: A DLTS Study

Abstract

The deep‐level (DL) spectrum of plastically deformed n‐type Si and its modification due to interaction with the mobile Ni species are investigated by the deep‐level transient spectroscopy (DLTS) technique. The used geometry of plastic deformation makes it possible to separate the DL centers associated with the dislocations themselves or with dislocation traces, the quasi‐2D defects left by moving dislocations. It is shown that the chemomechanical polishing at room temperature in a Ni‐contaminated slurry results in the appearance of additional DL centers; the principal part of the novel centers forms due to nickel interaction with the dislocation trails. The DLTS signatures of the nickel‐related defects in our plastically deformed samples are similar to those for the nickel‐silicide precipitates.

Electron‐Beam‐Induced Current and Deep‐Level Transient Spectroscopy Study of Dislocation Trails in Au‐Doped Si

“…In the diodes with the high dislocation density, the carrier concentration decreases from 1.6 Â 10 14 to 1.2 Â 10 14 cm À3 . The DLTS spectrum measured on these diodes is mainly determined by the dislocation related peaks (Curve 3), [12,21] and it is impossible to estimate the Au concentration from this spectrum due to peaks overlapping.…”

“…[1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12] DTs can be revealed by the selective chemical etching [1] and by the electron-beam-induced current (EBIC) and laser-beam-induced current (LBIC) methods. [2][3][4][5][6][8][9][10][11] Due to their electrical activity, DTs introduce deep levels in the bandgap [3,5,12] and affect the electrical conductivity. [1] These defects are rather stable.…”

“…It was well established that dislocations gliding in Si at 600-800 C generate some defects in the slip planes, so called the dislocation trails (DTs). [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12] DTs can be revealed by the selective chemical etching [1] and by the electron-beam-induced current (EBIC) and laser-beam-induced current (LBIC) methods. [2][3][4][5][6][8][9][10][11] Due to their electrical activity, DTs introduce deep levels in the bandgap [3,5,12] and affect the electrical conductivity.…”

Влияние Деформации Сжатия И Растяжения На Спектр Дислокационной Люминесценции В Кремнии

“…В то же время в проведенных исследованиях электрически активных центров с помощью методов EBIC и LBIC в деформированных таким же способом образцах было установлено, что рекомбинационная активность точечных дефектов, остающихся в плоскости скольжения дислокаций (dislocation trails), различается со стороны сжатия и растяжения [6][7][8][9]. Спектры DLTS, измеренные на сторонах сжатия и растяжения, также различались [10]. Поэтому цель данной работы заключалась в сравнительных исследованиях спектров ФЛ, измеренных на сжатой и растянутой сторонах образца, деформированного четырехточечным изгибом.…”

“…Приложенные напряжения также представляются слишком низкими для существенного влияния на процессы перестройки дефектов. Поэтому причину различия спектров, по-видимому, следует искать исходя из результатов исследования электрически активных следов, остающихся в результате скольжения 60 • -х дислокаций (dislocation trails) [6][7][8][9][10]15,16]. В этих работах методами EBIC и LBIC было показано, что в использованной в настоящей работе ориентации образцов на стороне растяжения электрически активные следы образуются за заведомо 60 • -м сегментом дислокационной полупетли, пересекающим поверхность [7][8][9].…”