S doping in ZnO film by supplying ZnS species with pulsed-laser-deposition method

Abstract

S-doped ZnO (ZnO:S) film was fabricated by supplying ZnS species from laser ablation of a ZnS target during ZnO growth. Variations of lattice constants and band gaps with respect to S content did not follow Vegard’s law. The ZnO:S film showed semiconducting behavior with lower activation energy and resistivity than those of ZnO owing to higher carrier concentration. Despite the absence of magnetic elements, the large magnetoresistance amount of 26% was observed at 3 K from ZnO:S film.

Band-gap engineering of ZnO1−xSx films grown by rf magnetron sputtering of ZnS target

“…1b). Worth mentioning is that, it was previously reported about a non-linear behavior of the c-lattice parameter depending on the S content in ZnO1-xSx [19]. This discrepancy is associated with the different methods of growing ZnO1-xSx thin films, as was also shown by B. K. Meyer et al [11]).…”

A New Approach to Solar Hydrogen Production: a ZnO–ZnS Solid Solution Nanowire Array Photoanode

“…The absorption spectra of the samples were calculated using the Kubelka-Munk function. The bandgap of the samples was calculated by fi tting the absorption band edge of the spectra as: [ 24 ] When a S atom is incorporated into the ZnO lattice, the potential energy of the top of the valence band that is formed by O 2p atomic orbitals (i.e., O 2p -S 3p repulsion), narrowing the bandgap for ZnO-ZnS solid solution. [24][25][26] This reveals that ZnO-ZnS solid solution sensitization can signifi cantly reduce the bandgap and absorb visible region from sunlight.…”

STRUCTURE AND OPTICALLY PROPERTIES OF THE ZnSO LAYERS PREPARED BY THERMAL OXIDATION OF ZnS THIN FILMS

“…Одним із методів інженерії забороненої зони може бути застосований термічний від-пал на повітрі для виготовлення тонких плівок ZnO 1-х S х із попередньо вирощених тонких плі-вок ZnS [14,15]. Однак в літературі, наскільки нам відомо, є незначна кількість теоретичних і експериментальних результатів стосовно отримання тонких плівок ZnO 1-х S х , досліджен-ня їх структурних, оптичних властивостей та визначення E g (х) [16][17][18][19][20]. Причому, основні параметри, визначені різними авторами від-різняються між собою, що може бути зумов-лено, на нашу думку, різними способами ви-рощування тонких плівок.…”