Selection of Conductive Film Thickness for Submicron Metallization

Danilina, T. I.; Chistoyedova, I A

doi:10.18502/keg.v3i6.3002

Cited by 1 publication

(1 citation statement)

References 5 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…3, который показывает, что при уменьшении толщины до 30 нм и менее наблюдается резкий рост сопротивления металлизации. В работах [14,15] Рисунок 4 демонстрирует, что при уменьшении толщины металлизации от 170 до 30 нм индуктивность локальной металлизации увеличивается на 7%, боковая емкость уменьшается в 6 раз, а суммарная емкость уменьшается в 2 раза. Уменьшение индуктивной составляющей задержки сигнала связано с тем, что поперечное сечение проводника уменьшается и уменьшается величина магнитного потока, что приводит к уменьшению индуктивности.…”

Section: параметры первого уровня металлизации по Itrs-2015unclassified

Delay time of the signal in very-large integrated circuits

Danilina¹,

Chistoyedova²,

Zarechnev³

2019

Proceedings of TUSUR

View full text Add to dashboard Cite

Время задержки сигнала в сверхбольших интегральных схемах Предложена методика расчета времени задержки сигнала, позволяющая на основе результатов моделирования сопротивления, емкости и индуктивности металлизации в среде COMSOL Multiphysics прогнозировать величину задержки сигнала с учетом паразитных составляющих индуктивности и емкости металлизации. Установлено, что при уменьшении топологической нормы сверхбольших интегральных схем от 90 до 7 нм вклад индуктивной составляющей можно не учитывать. Ключевые слова: металлизация СБИС, время задержки, модель, COMSOL.

show abstract

Section: параметры первого уровня металлизации по Itrs-2015unclassified